Al掺杂量对ZnO：Al薄膜微观结构和光电性能的影响.pdfVIP

Al 掺杂量对ZnO：A1薄膜微观结构和光电性能的影响 ／徐迪等 ·6 3 · Al 掺杂量对ZnO：A1薄膜微观结构和光电性能的影响’ 徐迪，段学臣，朱协彬，傅欣 ( 中南大学材料科学与工程学院，长沙4 10083) 摘要 采用溶胶一凝胶法在玻璃基片上制备出不同趟掺杂量的Zno 。Al ( 劾均) 薄膜 。系统研究了舢掺杂量 对薄膜微结构和光电性能的影响。结果表 明：溶胶一凝胶法制备 的薄膜具有完好C轴择优取 向，在可见光 区的透射率 均大于85 ％；随着Al 掺杂量的增加 ，薄膜的平均颗粒尺寸减小，表面 电阻率先降低后升高 ，薄膜 的光学带隙宽变宽 。 在5％H2+95 ％N2气氛退火可显著降低薄膜电阻率，掺舢量为2％的薄膜具有最低 电阻率5 ．5 ×10- 3Q·Cl TI 。 关键词 溶胶凝胶Al 掺杂Zn Ot AI 电阻率带隙 中图分类号 ：0 484 ．4 文献标识码：A Ef f ect of AI Do i ng Conce nt r a t i on on t he St r uct ur e ，El ect r i c al and O t i cal Pr o er t i es of ZnO：AI Fi l ms XU Di ，DUAN Xu ech en ，ZHU Xi ebi n ，FU Xi n ( Schoo l of Ma t er i a l Sci e nce a nd Eng i neer i ng，Cent r al Sout h Un i ve r si t y ，Chan gsh a 4 10083) Abs t r act Al - do e d Zn 0( ZA0) t hi n f i l ms wi t h di f f er ent do i n g con cent r at i o ns ar e de osi t ed on gl as s s ub — s t r at e s us i ng t he s ol -gel met hod, The e f f ect of AI do i ng concen t r a t i on on t he mi cr ost r uct ur e 。el ect r i eal a nd o t ical r o er t i es of t he f i l ms i s i nve st i gat ed．The r e s ul t s show t hat a l l t he f i l ms r e a r e d by t he s ol -gel met hod ha v e hi gh r ef — er ent i al C- ax i s or i ent at i on ，and t he t r a nsmi t t anc es wi t h di f f er ent Al do i n g con cent r at i o ns ar e ov er 85％wi t hi n t he vi s i - bl e wa v el e n gt h r eg i on ．Wi t h i ncr ea si ng t he AI do i n g conce nt r at i on ，t he av er age s iz e of t he f i l m decr eas e s ，t he e l e c t r i c al r e s t +s t l ‘vl ’t y i 。n cr ea se s f ir s t 。t hen decr eases 。and t he o t ical b and- ga e ner gy br oa de ns ．Th e