不同氧流量条件下ZnO纳米棒阵列的形成及机理分析.pdfVIP

不同氧流量条件下ZnO纳米棒阵列的形成及机理分析.pdf

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不同氧流量条件下ZnO纳米棒阵列的形成及机理分析.pdf

不同氧流量条件下Zn0纳米棒阵列的形成及机理分析 /曹培江等 ·1 · 不同氧流量条件下ZnO纳米棒阵列的形成及机理分析 曹培江,解振宇,韩 舜,柳文军,贾 芳,曾玉祥,朱德亮,吕有明 (深圳大学材料学院,深圳市特种功能材料重点实验室,深圳陶瓷先进技术工程实验室,深圳 518060) 摘要 采用脉冲激光沉积结合化学气相沉积方法在 p-Si(111)衬底上制备了呈直立生长的ZnO纳米棒 阵列, 并且研究了氧流量对ZnO纳米棒尺寸、结晶特性等性质的影响。研究结果表明,在没有氧气的环境下无法生长ZnO 纳米棒;随氧流量减小,不同晶面上ZnO生长速率的不同导致 ZnO纳米棒长度减小、直径变粗、结晶质量变差、纳米 棒面密度减小。氧流量的减小使得znO纳米棒 中的氧空位缺陷含量增加,导致位于约520nm处的绿光峰增强。 关键词 ZnO纳米棒阵列 化学气相沉积 发光性能 中图分类号:0472+.3 文献标识码:A FormationandM echanism AnalysisofZnO NanorodArraysFabricatedat DifferentOxygen Flow Rates CAOPeijiang,XIEZhenyu,HANShun,LIUWeniun,JIAFang,ZENGYuxiang, ZHU Deliang,LU Youming (ShenzhenKeyLaboratoryofSpecialFunctionalMaterials,ShenzhenEngineeringLaboratoryforAdvanced TechnologyofCeramics,SchoolofMaterialScience,ShenzhenUniversity,Shenzhen518060) Abstract ZnO nanorodarraysperpendiculartothesubstrates surfacewerefabricatedonp-typesinglecrystal siliconsubstratesbypulsedlaserdeposition (PLD)andchemica1vapordeposition (CVD)methods.Theeffectsofdif— ferentoxygenflow ratesonthesize,crystallineproperty,andSOonofZnO nanorodshavebeenstudiedandfollowing resultshavebeenobtained.ZnO nanorod cantgrow withnooxygengasparticipating W ith thedecreaseofoxygen flow rate,thedifferenceofZnO growthrateondifferentZnO crystalfaceleadstothatthelengthofZnO nanorodbe— comesshorter,thediameterofZnO nanorodbecomesthicker,thecrystallinepropertyofZnO nanorodbecomespoor andthesurfacedensityofZnOnanoroddecreases.Thedecreaseofoxygenflowrate1cadstotheincreaseofv()content inZnO nanorod.andconsequentlyresultsintheenhancementofgreenlightbandatabout520nrn. Keywords ZnO nanorodarrays,CVD,opticalproperty 备一层 ZnO薄膜作为晶种层 ,再通过化学气相沉积方法制备 0 引言

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