CdS掺杂研究进展.pdfVIP

Cd S掺杂研究进展 ／李江波等 ·5。 CdS掺杂研究进展* 李江波，胡文成，董东 ( 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都6 10054) 摘要 介绍了国内外关于硫化镉( Cadmi um s ul f i de，CdS) 在掺杂改性方面的研 究现状 ，以及各种掺杂对硫化镉 特性 的影 响，重点讨论了掺杂浓度及掺杂种类对硫化镉结构和光学特性的影响，论述了材料组成、微观结构与特性之 间的关系。最后提 出了在 实际应用 中存在 的问题 。 关键词 硫化镉掺杂光学特性结构特性 Re se ar c h Pr ogr es s i n Dopi ng of Cadmi umSul fi de LI i angbo ，HU Wencheng ，DONG Dong ( St at e Ke y Lab of El ect r oni c Thi n Fi l ms and I nt egr at ed Dev i ces ，Uni ver si t y of El ect r oni c Sci ence and Tec hn ol ogy of Ch i na，Che n gdu 6 10054) Abs t r act The r esea r ch pr ogr es s i n dopi n g of cadmi um s ul fi de mat er i al s i s r e vi ewe d．Th e ef f ect s of var i ous f act or s su c h as t he ki n ds of dop i ng an d concen t r a t i on of dopi n g on t he st r uct ur al and opt ical pr ope r t i es ar e i nve s t i gat e d ． The r el at i ons b et we en composi t i on，mi c r ost r uct u r e an d pr ope r t i es ar e di scus sed ．Th e pr obl e ms of dop i ng mod i f i cat i on i n appl i c at i on ar e al s o pr es ent e d． Key wor ds cadmi um s ul fi de ，dopi ng ，opt i cal pr oper t i es ，st r uct ur al pr oper t i es 多，P型硫化镉和n型硫化镉可以制成 同质结太阳能电池，有很 0引言 大的应用前景。 硫化镉是一种优 良的Ⅱ一Ⅵ族 宽禁带半导体光电材料，室温 2掺杂工艺对结构及光学特性的研究 下其禁带宽度约为2 ．42eV，具有光伏效应 、窗口效应 、声 电效 应、能斯特效应、光 电导效应等多种效应，因而在传感器[ 1~3] 、发 适量 的掺杂可 以改善硫化镉的性能，包括结构、光学性能 、 光器件[ 1] 、光学集成和储存器件[ 5] 等领域具有广阔的应用前景。 电学性能。不同的掺杂离子和掺杂浓度对结构和光学性能具有 不少工作者对硫化镉 的掺杂进行 了大量的研究，通过掺杂