Ce：KNSBN晶体中光扇效应的响应时间特性研究.pdfVIP

第 37卷第 11期 光 子 学 报 Vo1．37No．11 2008年 11月 ACTA PHOTONICA SINICA November2008 Ce：KNSBN 晶体中光扇效应的响应时间特性研究* 李盼来，郭庆林，张金平，梁宝来，王志军，怀素芳 (河北大学 物理科学与技术学院，河北 保定 071002) 摘 要：以单柬光入射 Ce：KNSBN 晶体 ，系统研 究了不同入射光波长下，Ce：KNSBN 晶体中光 扇效应的响应时间随入射光强度及光入射角的变化情况．结果显示 ，相 同的入射光强度及光入射角 、 下，入射光波长较短时，光扇效应到达稳态的时间较短．相 同的入射光强度下，随光入射角的增大， 响应时间先减小后增大，但不 同波长入射光下，最小值对应的光入射角不同，入射光波长为 532nm 时，响应时间最小值对应 的 为 l5。；入射光波长为 632．8nm 时，对应的 为 l5．5。．同时研究发现 ， 入射光强度逐渐增大的过程中，响应时间在逐渐减小． 关键词 ：Ce：KNSBN 晶体 ；光扇效应；响应时间；入射光参量 中图分类号 ：O438．1 文献标识码：A 文章编号：1004—4213(2008)11-2155—4 0 引言 掺杂 KNSBN晶体是非常有应用前景的光折变 HW P P Ce：KNSBN Computer 材料之一．但是 ，掺杂 KNSBN 晶体 中的光扇作为噪 图1 实验装置 音严 重影响 了其实用化进程 [】。]，因此 ，对 掺杂 Fig．1 Experimentalsetup KNSBN晶体 中光扇效应的研究成为一个热点．，近 2 结果与讨论 年来，人们 在这方面 已经进行 了．一些研究，如： 2。1 不同波长入射光下光扇效应的时间演化 Residori等人L4测量了Cu：KNSBN晶体不 同C轴 光扇效应的形成机制可以解释为：入射光与光 取 向时光扇效应的动态过程；郭庆林等人[5]对 Ce： 折变材料 中的杂质和缺陷等引起的近前向散射光相 KNSBN 晶体两波耦合 中的光扇效应进行 了研究； 干涉，写入噪音相位光栅，入射光被噪音相位光栅衍 李盼来等人_6对 Ce：KNSBN晶体中光扇效应 的入 射，向散射光转移了能量，从而放大了散射光，其核 射光强度阈值进行 了研究．人们在研究的过程及结 心是光折变晶体中的双光束耦合．由于晶体两波耦 果中发现，入射光写入 晶体的过程中存在信号栅与 合过程 中信号光较弱，引起 的扇形效应可以忽略Is3， 噪音栅的竞争问题 ，这种竞争涉及到二者的响应时 因此，只以单束光入射晶体，通过记录其透射光强度 间，而响应时间又与入射光参量有关．对于 Ce： 的变化来描述光扇效应的演化情况．取入射光强度 KNSBN晶体信号栅的响应时间问题 已有报道_7]， I为 62．5mW ／cm。，光入射角 0为 15。，以532Elm 但对光扇效应响应时间的研究还未见报道 ，本文以 和 632．8nm两种波长的激光作为入射光，