高速放大器制程新技术满足新一代低功耗应用需求.pdfVIP

模 拟 技 术 高速放大器制程新技术满足 新一代低功耗应用需求 ◆德州仪器高速放大器策略营销部门 Karki ／James 新一代无线应用、自动化测试与测量．医疗仪器 的重大突破． BiCom-III正是这类工艺技术创新的 及图像处理、便携式运算装置等都需要高效能模拟组 一例。 件．并且对其低功耗的效能要求日益提高。现今厂商 运用进阶工艺技术来满足此一要求．例如第三代完全 BiCom-llI工艺概览 介电隔离式互补双极工艺BiCom-III。 多年来．高效能模拟设计都需采用分支供电电 压(splitpower (SiGe)工艺。这是在基极区添加锗的介电隔离式硅基 supplyvoltage)．才能完全发挥既有 isolatedsi icon-based 放大器的全部效能，例如4-15V．±8V和最近的工艺(dielectrically process)． 士5V。如今的高效能模拟趋向使用+5V．+3V与更在基极区添加锗可大幅提升载波机动性，并达到极 低电压的单电源，这不仅能够降低产生的电压，让电 快速的瞬时时间。此工艺可生产出真正互补的双极 源成本随之减少．而且更可节省低功耗应用的能源。 H 然而，如果信号的可用电压摆幅也必须减少，则模拟 设计中极为重要的可用动态范围势必同样受到影响。 互补晶体管可实现AB类放大器等级，这对高速．高效 动态范围的两项重要数据是信噪比(SNR)与无能的模拟电路设计来说极度重要。 噪声动态范围(SFDR)。SNR是信号等级除以噪声： 斓-裂而SFDR是信号等级除以最大混附信号：体管运作而设计，可达到18GHZ～19 GHz范围 涮．型 GH 的fT值，并达到40 o Sp,I 噪声可分为许多种类．在放大器中，噪声主要 值。与同类型互补技术的效能相比。其fT值反映出几 包含闪烁噪声(通常称为1／f噪声．因为与频率呈近三倍的提升程度。介电隔离式晶体管可将集极到基 1：1的反对数相依性)。热噪声及射噪声。在放大器板的寄生现象减至最低，这些寄生参数会影响晶体管 中．其非线性会造成谐波失真或互调，进而产生混附 的高频率效能。 信号。 这项技术还能为高速运算放大器带来许多优点． 在运算放大器中．电源电压的降低一般会导致 信号等级降低，这是因为可用来操作放大器内部晶体 管的电压降低。当噪声与失真维持不变时．SNR与生电容的介电隔离(DI)(或称为绝缘体层上覆硅． SFDR也会相应降低。为了重新恢复动态范围，制造S01)．以及极高的晶体管电流增益与尔利电压(early x 运算放大器时采用的工艺与架构必须具备绝佳的噪声 voltage)相乘乘积(DV。)．进而达到更高的放大 与失真效能，而且晶体管正常运作时所需的固定电源 器增益。 必须减少，这的确需要工艺技术与进阶电路架构方面 此外．此工艺也包括CMOSFET．可使高度复杂 2000．04／电子与电脑一47 的数字功能整合在芯片上．以达到绝佳的模拟效能。 CMOS晶体管 NPN与PNP双极晶体管