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半 导 体 材 料 实 验 目 录 实验一 直拉法硅单晶制备实验………………………………………1 实验二 单色 X 射线衍射法晶体定向………………………………18 实验三 金相观察……………………………………………………25 实验四 暗室技术……………………………………………………28 实验五 付立叶变换红外吸收光谱法测定硅单晶中的氧、碳含量 ………………………………………………………………32 实验六 SiO2 薄膜的溶胶-凝胶化学制备……………………………40 实验一 直拉法硅单晶制备实验 一. 实验目的 1. 熟悉直拉法硅单晶制备的设备。 2. 了解直拉法硅单晶制备工艺。 二. 直拉法生长硅单晶简介 直拉法生长硅单晶是目前生产中最常用的制备硅单晶的方法，它的设备和工 艺简单，生产效率高。直拉法是在单晶炉内使纯硅材料（多晶硅）在石英坩埚内 熔化，然后再调整炉温，使熔体熔合后，慢慢地向上提拉籽晶杆，晶体便在籽晶 的下端生长出来。 三. 实验设备 单晶炉是直拉法生长单晶的设备，我们做实验使用的单晶炉是 TDK36-AZ， 它是由机械传动系统，炉体，真空及充气系统，供电和热系统等四个大部分组成。 1.机械传动系统 是由四个直流电动机，四个埚轮埚杆减速器来带动籽晶杆，坩埚杆的转动和 升降，可以达到无级变速，在拉晶时要求在减速范围内，籽晶杆及坩埚杆上下移 动的速度和转动的速度稳定，无震动。变速的范围是： 籽晶杆：升降0.3~5mm/分 转动5~ 100转/分 坩埚杆：升降0.08~0.5mm/分 转动1~50转/分 籽晶杆和坩埚杆还装有自动快速升降或手动快速升降机构，以便在生产准备 过程中使用和在拉晶过程中能够及时排除故障。 籽晶杆的快速传动是由三相交流电动机，通过皮带轮带动籽晶杆作快速升降 的。炉内一旦发生“硅跳”或电极短路时，使籽晶杆快速离开熔硅，快速传动也 可以在清洗炉膛、润滑等准备工作时使用。快速升降可在籽晶杆做慢速升降工作 时启动，可不必关闭慢速升降开关，是由一个超越离合器来达到这一目的。 坩埚杆在拉晶时可以做手动快速升降和自动慢速升降的。手动快速升降可以 使干果很快的调整好装料、化料及拉晶时的位置。可以使坩埚上升高出加热器 （1~20毫米），也可以使坩埚杆下降出炉体外，以便清洁处理及更换真空密闭橡 胶圈。 1 拉晶时坩埚慢速上升，主要用来调节熔硅液面在加热器热场中的位置，其上 升的速