LICVD法制备a-Si_3N_4纳米粒子光谱研究.pdfVIP

　第 20 卷第 11 期 半　导　体　学　报 . 20, . 11 V o l N o 　1999 年 11 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S N ov. , 1999 法制备 - 3 4 纳米粒子光谱研究 L ICVD a Si N 凤　雷　郑　韬　李道火 ( 中国科学院安徽光学精密机械研究所　合肥　230031) 摘要　用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为 10 左右的 纳米粒子. 红外吸收和 nm a SiN 3 4 喇曼光谱研究表明 纳米粒子中存在 — , — , — , — — 键, 分析了 a Si3N 4 Si N Si H N H Si O Si a Si3N 4 纳米粒子在不同的温度和气氛退火后的变化情况. 并对 纳米粒子胶体溶液的紫外可见 a SiN 3 4 吸收进行了测试分析. : 6146, 6480, 6170 , 7830 PACC N 1　引言 自八十年代初纳米材料作为一门学科后, 这一领域即迅速发展起来. 例如传统 Si3N 4 是 典型的共价无极性绝缘体, 但在纳米状态下却具有强极性的压电效应, 且高频电导急剧上升 而倾向于导电. 纳米材料这些奇妙的物理特性对凝聚态物理和材料科学的现有理论提出了 挑战. 激光诱导气相沉积法(L aser Induced Chem ical V apo r D epo sition) 是利用反应气体分子 对特定波长激光束的吸收而产生热解或化学反应, 经成核生长形成超细粉末. L ICVD 法通 常用 CO 2 激光器作热源, 加热速率快, 高温驻留时间短, 冷却迅速, 因此可获得粒径小于 10nm 的均匀纳米粉末. 同时, 反应中心区域与反应器之间被原料气体隔离, 反应污染小, 制 得的纳米粉末纯度高. 本文报道用 法获得了粒径 10 左右的 纳米粒子, 对 L ICVD nm a Si3N 4 制备出的 3 4 纳米粒子粉末压块样品退火前后的红外及喇曼光谱进行了分析和研究. a SiN 并对 3 4 纳米粒子分散后制得的胶体溶液进行了紫外可见吸收测试和分析. a SiN 2　实验 2 1　样品制备 3 4 粉 末 化 学 分 析 结 果 为 : 5654 % , : 3659 % , : 151 % , : a SiN Si w t N w t O w t C l 0017 % , 将 3 4 粉末作为 9#