磁控溅射碳纳米管SnO2材料的工艺对性能的影响.pdfVIP

第29卷第3期 《陶瓷学报》 Vo1．29，No．3 2008年 9月 JOURNAL0FCERAMICS Sep．2008 文章编号：1000-2278(2008)03-0236—03 磁控溅射碳纳米管SnO2材料的工艺对性能的影响 林 伟 1．，。 黄世震 l，·。 陈文哲 (1．福州大学材料科学与工程学院，福州：350002；2．福州大学物理与信息工程学院，福州：350002； 3．福建省微 电子集成电路重点实验室，福州：350002) 摘 要 采用磁控溅射方法制备碳纳米管SnO。薄膜，通过分析不同工艺条件下制备的气敏元件在NO2气氛中的灵敏度响应特性，以 及比较不同的薄膜厚度的气敏元件的性能特性，来研究磁控溅射工艺条件的改变对碳纳米管SnO气敏元件的性能的影响。实验 表明：磁控溅射的工艺条件对气敏元件的性能有很大的影响，射频反应溅射碳纳米管SnO。气敏元件有较好的性能，最佳的气敏元 件薄膜厚度在30nm左右。 关键词 磁控溅射，碳纳米管，SNO。，气敏 中图分类号：TB383 文献标识码：A 2 实 验 1 引 言 2．1实验方法 1991年，日本哇 公司的饭岛博士发现了多壁碳 采用磁控溅射仪，直流反应溅射 SnO薄膜，实验 纳米管 [11，又在 1993年发现了单壁碳纳米管 [21，碳纳 条件为：溅射气压为0．5Pa，Ar气体流量5．2SCCM， 米管独特的特性及在工业中潜在的应用价值引起了 溅射功率为150W，溅射的薄膜厚度为30nm，膜的载 世界各国科学家的关注，由此引发了碳纳米管的研究 体为 2X4rain的陶瓷管，陶瓷管上敷叉指电极，然 热潮和近十年来碳纳米管科学和技术的飞速发展3[1。 后将溅射好的SnO薄膜在 500oC下烧结2h，而后在 碳纳米管是一种具有特殊结构的一维量子材料。由于 陶瓷管中穿入白金加热丝，其冷态电阻为 l0Q，将元 碳纳米管具有介观尺度，故碳纳米管表现出与块体材 件焊在基座上进行测试，元件编号为A。 料明显不同的奇特的物理性质。碳纳米管具有奇异的 选用多壁碳纳米管 (管径 8—15nm，长度约 电学性能，导电性随管子的直径和螺旋方式的变化而 50um)，经过无水乙醇的清洗、分散等处理，在Sn靶 变化。可以是 良导体，也可以是半导体、绝缘体 [41。 材的表面旋涂一层碳纳米管薄膜层，其他制作的方法 磁控溅射制膜方法是将靶材上的原子或分子溅 同元件A，元件编号为Bn 射出来，然后沉积到基体上形成薄膜材料。该方法沉 靶材的处理同元件B，采用射频溅射的方法制备 积温度较低，不易引起基底的变形开裂以及膜层陛能 SnO薄膜，射频溅射功率为 150W，溅射的薄膜厚度 的下降，而且很容易调整制备条件，因而易于控制薄 为30nm，其他制作的方法同元件A，元件编号为C。 膜的结构和性质。 靶材的处理同元件B，采用射频反应溅射的方法 近年来，关于碳纳米管在气敏方面的研究，一直 制备 SnO 薄膜 ，Ar：02=5：l，射频溅射功率为 是当今学术界的一个研究热点。但迄今为止 ，没有看 150W，溅射的薄膜厚度为 30nm，其他制作的方法同 到有关磁控溅射碳纳米管气敏传感器方面的报道，本 元件A，元件编号为D。 文在这方面作了一些探讨。 2．2实验结果 收稿 日期：2008一O6r_15