L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体法向生长动力学及化学侵蚀研究.pdfVIP

曹亚超 等 ：I丙氨酸掺杂下 zTs晶体法 向生长动力学及化学侵蚀研究 文章编号：1001—973l(2014)1卜11061-05 L一丙氨酸掺杂下 ZTS晶体法 向生长动力学及化学侵蚀研究 曹亚超 ，李明伟 ，潘翠连，朱廷霞，尹华伟 ，程 昊 (重庆大学 动力工程学院，低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室 ，重庆 400030) 摘 要： 通过对 L丙氨酸掺杂下 ZTS(100)、(010) 化学侵蚀法是一种研 究晶体微观缺 陷的方法 ，该 及 (001)面法 向生长速度 的研 究发现 ，各 晶面法 向生长 方法不但可以揭示 晶体 中位错的位置和形貌 ，而且可 速度随过饱和度的增加 而线性增加 ；随掺 杂浓度 的增 以用来判断晶体的生长机制 ]。 目前 ，研究人员利用 加 ，(100)面的法 向生长速度先增大后减小，而 (010)及 化学侵蚀法对 ZTS进 行研 究，得 到 了位错蚀坑形 (001)面的法向生长速度先减 小，接着增大，然后叉减 状_7]、密度 及形成原因 等信息 。 小。分析表明(100)面以位错生长机制为主，(010)及 本文研 究 了不 同过饱 和度及掺杂浓度对 ZTS (001)面以连续生长机制为主。利用光学显微镜在侵 (100)、(010)及 (001)面法 向生长速度 的影响 ，分析总 蚀后 的 (100)面观察到矩形位错蚀坑 ，蚀 坑密度 为 33 结了各晶面的生长动力学规律，确定了各 晶面 的生长 ～ 308mm ；掺杂浓度为 1 (摩 尔分数)时，蚀坑密 机制 ；利用化学侵蚀法研究 了不同过饱和度和掺杂浓 度最小。 度下(100)面的位错蚀坑，发现适量的掺杂可使蚀坑密 关键词 ： ZTS晶体 ；法 向生长速度 ；动力 学；L丙氨 度较小。 酸 ；化学侵蚀法 中图分类号 ： 0782；TK124 文献标识码 ：A 2 实 验 DOI：10．3969／j．issn．1O01—9731．2O14．11．013 原料配制及溶解度的测定同文献 [4]。籽晶在室 1 引 言 温下采用蒸发法获得 ，挑选表面光滑无缺陷的透明籽 晶备用 。 硫脲硫酸锌 (ZnECS(NH。)。]。S()，简称 ZTS)是 2．1 动力学实验 一 种金属有机配合物 晶体，其具有激光损伤闽值高、光 采用籽晶法在不同过饱和度及掺杂浓度下生长晶 透过范围宽和角度灵敏性低等优点，可用于二次谐波 体。Ijn,4量生长前 、后 晶体 z、Y及 方 向的尺寸 ，记为 激光发生器 。目前 ，研究人员对 ZTS的生长动力学 z1、Yl、1和 z2、Y2、2，nm。各个面的法向生长速度 开展了研究。Arunmozhi等[2研究 了 ZTS各 晶面 的 分别表示为 法 向生长速度与过饱和度 的关系 ，发现 (100)与 (010) 面的生长符合连续生长模型 ，而 (001)面则符合 B+S R(1 一 生长模型。Dinakaran等 利用激光影像技术研究 了 ZTS{010)面簇及 {001}面簇 的法向生长速度与过饱和 ‰ 一 度的关系，发现除(001)面外 ，(010)、(010)及 (001)面 ‰ 一 均存在生长死区，并且 (001)面与 (001)面的原子排列 方式不同导致两晶面生长各向异性明显 。石航等 利 其中，t为生长时间，s。 用光学显微镜对 ZTS(100)面台阶推移进行 了实时观 2．2 化学侵蚀实验 察和测算 ，发现台阶平均推移速度与过饱和度呈线性