二氧化硅干法刻蚀工艺实验的研究.pdfVIP

一 二氧化硅干法刻蚀工艺实验研究 林发永刘志弘乔忠林仲涛鲁勇 曹秉军李希有付玉霞 清华大学微电子学研究所邮编： 北京100084 摘要：本文研究了影响被刻蚀二氧化硅厚度，二氧化硅／光刻胶刻蚀选择比的工 艺因素。在实验基础上，通过曲线拟台法求得被刻蚀二氧化硅厚度与主要工艺参数 的定量关系。文中还介绍了在给定工艺条件下单片内，片问以及批间被刻蚀二氧化 硅厚度的均匀性和重复性。 I．引言 随着亚微米，深Ⅱ微米Ic工艺的发展，于法刻蚀工艺地位越来越重要。在干法刻蚀工 艺条件确定过程中除了根据不同要求必须精确控制二氧化硅槽侧墙形状外，另一重要的是必 须精确控制被刻蚀二氧化硅厚度以防止过度地过刻蚀。后者原则上可以通过刻蚀系统中装备 的终点探测器来监控，这就要求在硅片上选定一个监测点进行监测。由于单片内，片间刻蚀 均匀性差异，这样选定单片上一个监测点来决定整批(18片)刻蚀终点实际上也是不够精确 的。另一种方法是通过设定刻蚀时间来直接控制刻蚀厚度。本文重点研究刻蚀气体流量比， 反应气体压强，直流偏压，刻蚀时间及带光刻胶硅片片数等对被刻蚀二氧化硅厚度△d^，的 影响和定量关系以及单片内，片间以及批间被刻蚀二氧化硅厚度的均匀性和重复性，以便实 现对／Xd。。的精确控制。 II．实验及结果 实验所用的刻蚀设备是美国应用材料公司制造的PE8310全自动氧化物刻蚀系统。在系 统的阴极六面体上，每面竖立放置=片5”硅片，共六面18片。所用的硅片晶向为100， 电阻率为8～20 210 光亥4胶弗用试验性掩模版光刻形成几何图案。二氧化硅及其上的光刻胶厚度用Nanomctrics 膜厚仪测定，每片测定9点。为确定二氧化硅，硅刻蚀选择比．还用了TENCORa-200台阶 仪测定台阶高度。所用的刻蚀气体为三氟甲烷(CHF，)和氧气。 1，刻蚀气体CHF，和氧气流量比对△dn。及二氧化硅，光刻胶刻蚀选择比S的影响 为清晰起见，这个实验分两部分进行：(1)CHF3流量保持恒定，氧气流量对△d。及选 增加，然后随之趋于平缓。然而选择比s却随氧气流量增加而下降，而后随之趋于平缓。在 低流量区氧气流量是敏感因素。为了获得较高的选择比S，折衷地选择了较低氧气流量，在 以后』：艺实验中氧气流量总是设定为8sccm。(2)氧气流量保持恒定，CHF3流量对／Xd。。及 306一 选择比S的影响。图2．示出了其他工艺条件与图1相同，只不过保持氧气流量为8sccm，而 CHF3流量在30～110 sccm范围内△d。。及S的实验结果。从图中显见，在CHF3高流量区 ti-Jd。。随CHF3流量增加而下4000 …18 降。而选择比S却随CHF3流量3500 7 …～………——一—上一一j+△dox，J 3000 、+ … J}S J 6 增加而增加。由于△d“在70 2500 5 sccm附近变化较小而且有足够3 一—j。—‘车==￡=二二～+——一 一J7 高的S值，所以，在以厉』二艺实 童2000～’一…一——～_ 一 1 4∞ 、 q1500