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V01．41
第41卷增刊 上海交通大学学报 Sup．
2007年4月 JOURNALOFSHANGHAIJIAOTONGUNIVERSITY Apr．2007
文章编号：1006—2467(2007)S-0009—03
SiOC低介电常数介质吸湿机理的理论研究
孙 亮， 朱 莲， 薛 原， 丁士进， 张 卫
(复旦大学微电子学系，上海200433)
摘 要：利用密度泛函理论(DFT)系统研究了掺碳的Si0。低Ⅳ互连介质(Si0C)的吸湿问题．比较
SiOC薄膜．还研究了多个水分子吸附于Si-CH。反应位情况下的吸水反应．当SiOC薄膜表面吸附
多个水分子，并且水分子以二聚物形式存在时，吸水反应的势垒明显降低．
关键词：SiOC；密度泛函理论；吸水反应
中图分类号：TN405．97 文献标识码：A
ontheMechanismofWater ofSiOCLow—K
Study Absorption
SUN ZHU ZHANGWei
Lian，XUEYuan，DINGin，
Liang， Shi-j
InterconnectResearch
Microelectronics，Fudan—NovellusCenter，
(Dept．of
Fudan
Univ．，Shanghai200433，China)
functional usedto water reactionsofcarbon
Abstract：Densitytheory(DFT)wasstudy absorption doped
silica(SiOC)films．Waterreactionson siteand sitewere isfoundthat——
Si—CH3 Si-CHz-Si compared．It
iSmore attackedwatermoleculesandreleasedfromSiOCfilms．Thereactionsofmuhiwater
CH3 easily by
moleculesattachedtothe sitewerealso are in filmsorinde—
Si—CH3 studied，whichlikely
happenedporous
fects．Whenmultiwatermoleculesaredimmer-liked，the increases．
reactivitysharply
functional reaction
Keywords：SiOC；densitytheory；waterabsorption
随着集成电路技术的发展，器件的特征尺寸越 水解反应，使一OH基替代一F和一CH。基，从而使Ⅳ
来越小，电路的互连线也越来越复杂，从而导致互连 值增加，性能退化c4‘5]．例如，掺氟的氧化硅(SiOF)材
延时问题越来越突出．通过减小
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