非金属材料专业毕业设计（论文）外文翻译-铸造多晶硅生长技术的光伏应用.docVIP

铸造多晶硅生长技术的光伏应用 摘要 铸造多晶硅锭广泛应用于光伏产业。获得高转换效率的太阳能电池的关键在于铸锭过程中能否获得最佳的温度分布，从而控制过多缺陷（晶界，亚晶界和位错）的生成。数值模拟是一个有效的工具，能帮助我们理解并描述晶体生长过程中铸锭炉内的温度分布，并能实现改变晶体生长条件获得缺陷很少的高质量晶体的数值模拟过程。本论文通过比较热场、晶体质量和有关的数值模拟，分析了DSS（定向凝固）铸造炉和HEM（热交换）铸造炉的优缺点。 一、前言 硅是化学元素周期表中第四主族的第二个元素，是禁带宽度为1.12eV（25℃）的半导体材料。硅是地壳中储量第二多的化学元素，在目前光伏产业领域，高纯硅晶体是占主导地位的半导体材料。超过90%的商用光伏组件是由晶体硅制成的，其中多晶硅占有较大的比例。与CZ单晶制备法相比，铸造法制备多晶硅由于具有较大的原料容忍度、低成本、高产量和工艺简单等优点，在硅光伏产业中占有较大的市场份额。多晶硅太阳能电池与单晶相比，最主要的不足在于转换效率较低，但是整体成本方面具有较大的优势。由特定电池制备工艺制备的多晶太阳能电池的转换效率为13-16.5%，平均比同样制备工艺制备的单晶硅太阳能电池转换效率低1%。 多晶硅通常在石墨支撑的石英坩埚中铸造。通常，当温度降低至硅熔点1412℃以下时，晶体首先在坩埚底部生长。冷却过程是通过逐渐将石墨支撑结构暴露在冷区，通过辐射热量来降低温度的，同时通过调节加热器的功率来维持一定的温度梯度。 目前，已经有大量的研究者对硅晶体的生长过程进行了实验和数值模拟分析。Kim等人研究了HEM系统制备的硅锭的生长过程和性质，他们用全自动HEM设备制备了多晶硅锭，通过分析硅片的组织形貌和太阳能电池片的转换效率来评估多晶硅锭的质量。Fujiwara等人采用铸造方法制备了具有大的柱状晶的多晶硅锭，用这种多晶硅制备的太阳能电池与单晶太阳能电池的转换效率相当。Ciszek等人提出了一种基于感应加热冷坩埚熔体技术的电磁感应铸造，与传统的冷坩埚技术相比它没有坩埚底部。在所有的铸锭生长技术中，电磁感应铸造的产量最大，达到了30Kg/h。 由于多晶生产的长周期性，而且生产过程中不能直接观察炉内情况，因此我们采用数值模拟这个强大的工具，来帮助理解内部的温度分布和优化生长炉铸造工艺。Liu等人提出了一种采用瞬时代码对铸造过程进行了全局数值模拟，对炉内的温度分布和硅锭中质量过程进行模拟。Franke等人通过对数值模拟结果的分析，模拟出了炉内的温度分布和不同生长工艺的多晶硅锭的性能差异。并研究了熔体对流对温度分布和固液界面形状的影响。除此之外，我们也对温度、应力和位错等的实际与数值模拟进行了分析。 在光伏产业中，GT太阳能公司生产的DSS和HEM系统是使用最广泛的两个方法。两种方法的基本原理相同，但是它们的温度分布、生长界面形状和硅锭质量都存在显著的不同。硅锭质量直接影响高质量多晶硅棒的产量和太阳能电池片的性能，而硅锭质量在很大程度上取决于热场的好坏。本文对DSS和HEM系统的生产过程进行了数值模拟，并根据数值模拟的结果，分析比较了这两种方法制备的多晶硅锭的质量和其他性能的异同。 二、铸造过程 图1是DSS和HEM系统的热区分布图。DSS炉的长晶过程中，侧部隔热笼逐渐提升，热量由坩埚底部向冷区辐射，整个过程中，坩埚保持静止。而HEM炉的长晶过程则是坩埚和底部隔热层的中心部分向下移动，从而使热量由底部向冷区辐射。 图1数值模拟结果(a)DSS炉全局温度分布；(b)HEM炉全局温度分布；(c)DSS炉内硅锭的局部温度分布；(d)HEM炉内硅锭的局部温度分布. 两种方法都是从坩埚底部辐射热量，从而在坩埚底部开始结晶，但是不同的移动部位和特定的热场形状导致了不同的温度分布。坩埚内不同的温度分布会对固液界面形状、杂质偏析、热应力分布和缺陷的生成产生显著的影响，因此两种方法生产的多晶硅锭具有不同的性能和特点。 图1用不同颜色和不同的等温线显示了两种系统的稳态温度分布，图1a、c是DSS系统的稳态温度分布，由图可以看出下半部分的硅锭中，边缘的温度低于硅锭中心的温度，这是由于随着隔热笼的上升，热量由热交换区的边缘部分通过辐射的方式丧失，使得临近坩埚壁的等温线向上弯曲。图1b、1d是HEM系统的稳态温度分布，与DSS系统不同的是，HEM系统中热交换区对加热器存在更大的角系数，加热器对硅锭的影响相对较大，而且热交换区的宽度与DSS系统相比要小很多，这样导致热量更多的从坩埚底部，而不是从坩埚边缘辐射，因此在整个硅锭的温度分布中，硅锭边缘的温度比中央更高，等温线向上凸起。 由于炉内硅锭的温度较高，在晶体生长过程中热量主要是以辐射的方式传递的。两个表面的热辐射交换量与角系数（表面散发的辐射量与表面接受的辐射量的比值）有很大的关系。由于DS