质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析.pdfVIP

物理 学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 2 (2015) 024220 质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和 位移效应分析 文林 李豫东 郭旗 任迪远 汪波 玛丽娅 1)(中国科学院新疆理化技术研究所, 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011) 2)(中国科学院大学, 北京 100049) ( 2014 年6 月26 日收到; 2014 年7 月25 日收到修改稿) 针对卫星轨道上的空间环境辐射引起电子元器件参数退化问题, 为了研究光电器件空间辐射效应、损伤 机理以及参数退化规律, 对某国产埋沟科学级电荷耦合器件(charge-coupled devices, CCD) 进行了10 MeV 质子辐照试验、退火试验及辐射效应理论模型研究. 试验过程中重点考察了器件的暗信号和电荷转移效率特 性的变化. 试验结果表明, 器件的主要性能参数随着质子辐照注量的增大明显退化, 在退火过程中这些参数 均有不同程度的恢复. 通过对CCD 敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析, 并根据半导 体器件辐射效应理论, 推导了器件敏感参数随质子辐照注量变化的理论模型, 得到了暗信号及电荷转移效率 随辐照注量退化的半经验公式. 上述工作可为深入开展CCD 抗辐射性能预测、抗辐射工艺改进与结构优化提 供重要参考. 关键词: 电荷耦合器件, 质子辐照, 电离效应, 位移损伤 PACS: 42.88.+h, 85.60.Dw, 61.85.+p, 07.50.Qx DOI: 10.7498/aps.64.024220 理较为复杂. 质子入射在CCD 内同时产生明显的 1 引 言 电离效应和位移效应, 两种辐射效应的综合作用 导致对CCD 参数退化的物理过程分析难度增大. 科学级电荷耦合器件(CCD) 由于高灵敏度及 2 3 Meidinger 等 及Bebek 等 的研究均表明, CCD 动态范围, 在空间光学成像领域得到了广泛的应 对质子辐照导致的位移损伤最敏感的参数是电荷 用13 . 但正因为高度灵敏性, 科学级CCD 单个像 转移效率, 且电荷转移效率性能退化程度与辐照剂 素比商业级CCD 尺寸更大, 一般在10 m 10 m 量及温度相关. 对辐射效应损伤机理的研究则表 以上. 较大的单个像素尺寸使得科学级CCD 对空 明, 在质子与CCD 器件中晶格原子Si 碰撞后产生 间辐射导致的性能变化也非常敏感, 空间带电粒 子辐射引起的电离总剂量效应和位移效应均会使 的大部分空位-填隙原子对很快复合, 少数穿过平 CCD 产生永久性的损伤, 使其暗信号增大、电荷转 衡时所处的晶格位置形成稳定缺陷, 作为暗信号产 移效率下降, 影响光学成像系统的性能. 生中心和少子陷阱存在, 引起CCD 暗信号和电荷