透射式光传感器在空间中应用.pdfVIP

” ， ．． 透射式光传感器在空间中的应用 王英鉴王咏梅管凤君 (中国科学院空间科学与应用研究中心北京100080) 摘要： 本文简要评述了透射式光传感器LED的生产工艺及对抗辐照性能的影响，给 出了透射式光传感器抗辐照总剂量的试验结果，指出开关型用于系统的自动控制可满足 抗20krad(Si)总剂量的要求． 关键词： 光耦，透射式光传感器，辐照影响 1．引言 随着空间探测技术的发展k光耦器件在国外空间探测仪器中已被较广泛的采用。光耦器 件按其集成的情况可分为2类，一是光发射二极管和接收光晶体管集成在一片硅片上，它主 要用于电信号的隔离：另一类是光发射二极管和接收光晶体管分离在不同的硅片上，此类光 耦器件又成为透射式光传感器或光断续器，它主要用于系统的自动控制。 紫外臭氧总量探测仪是用于全球大气臭氧总量探测的仪器，它包括了一台无刷电机和两 台步进电机，前者用于系统的波长选择，后者用于空间扫描和漫反射板定标。透射式光传感 器在该系统中主要用于扫描镜和漫反射板的定位和测量波长与探测信号的同步。． 本文将根据紫外臭氧总量探测仪的需求讨论透射式光传感器的抗辐照特性。 2．光发射二极管的基本工艺性能 ‘ i 透射式光传感器包括光发射=极管(LED)和接收光晶体管两部分，一般而言接收光晶 体管具有较好的抗辐照性能，因此辐照对透射式光传感器的影响主要是对光发射二极管发射 效率的影响。 辐照对LED的主要影响是影响LED的少数载流子，从而降低其发光强度。辐照对LED 发光强度的影响随工艺和结构而异。目前，主要有2种LED生产工艺， 一是扩散法，这是一种利用硅掺杂的液相外延技术的传统的生产工艺。在高温下外延生 成物为N性掺杂；但随着温度的降低，在临界温度以下，生成物为P性掺杂。这样，在外延 生成时随着温度的逐渐变化，利用从N性到P性掺杂的自然过渡，而形成P-N结。由于它在 生产中仅需一次掺杂，其生产工艺较为简单，掺杂区相对较厚，约为50-100pm。常用的Gahs 和A1GaAs光发射二极管可采用这种上艺生产。GaAs光发射二极管的典型发射波K为930nm， 而A1GaAs光发射二极管的发射波长与铝的含量有关，约为830-900nm。由丁掺杂密度低， 此类器仆的主要缺点是频率响应低，约为卜IOMHz。和扩散法不同，异质结结构具有较复杂 486 的工艺，约为几个微米很薄的掺杂区，因此具有较高的频率响应。 3．辐照对发光管的影响 国外一些作者已对LED的抗辐照性能进行了大量工作。特别在TOPEX卫星中采用单异质 结结构LED失效后，更进行了大量工作。综合这些工作可得出以下基本认识： }LED的辐射损伤主要由质子辐照引起； 发光强度仅下降了30％； }扩散工艺生产的同质结结构LED抗辐照能力较差，在5xlO”p／cm2质子通量辐照下， 发光强度已下降到30％以下，如图1所示。为比较起见，图中也给出了复式异质结结构LED 的特性(图中上部黑线)。 蓍 苎 § 图 1 图 2 {比较质子贡献的总剂量影响和质子辐照测量影响指出，后者约为前者2倍多。如图2 所示。 }质子辐照对单异质结结构LED和同质结结构LED发光强度的影响大体相当。 应该指出，复式异质结结构LED的发光效率仅为同质结结构的15％，而单异质结结构LED 为同质结结构的2倍。 4．辐照试验 487 透射式光传感器按输出信号特性与光强的关系大体可分为线性和开关型2类。前者接收 光晶体管一般采用光二极管。其透射式光传感器的输出信号与LED