离子事刻蚀法制作多台衍射光海陆空元件的研究.pdfVIP

第27卷第Z2翔 光子学 搬 V01．27No．Z2 1998年9月 I，I10TONICASINICA Sept．1998 ACTA 离子柬刻蚀法制作多台阶衍射光学元件研究 付永启 马月英 卢振武廖江红 翁志成 赵晶丽 (中国科学院长眷光学箝富机强研究所-应用光学口宋耍点实验室t忙存130022) 摘 要本文分祈了离于柬刻蚀法用于多台阶衍射光学元件(DoE)制作中与刻蚀速率有 关的影响因素及工艺参数的连裴，并提出丁一种有效的定标方法，该方法在实厮翩作16台阶 衍射光学元件过程中、匹明，是～种行之有效的方法． 关键词多台阶衍射光学元件(DoE)．离子柬划蚀法，定标 l 引 言 离子束刻蚀法又称离子束铣，是以离子束为“刀具”直接在基底上去除材料的方法·该 技术主要利用携带能量的离子轰击靶材料所产生的物理溅射刻蚀效应·具有刻蚀分辨率 及刻蚀速率高、无侧向钻蚀、图形边缘清晰、工艺参数可控、费用低兼．可刻蚀的材料种类 繁多、环境污染小等优点． 离子柬刻蚀工艺制作多台阶衍射光学元件(DOE)比薄膜沉积法具有制作精度高(