双相复合生长大直径(Φ40)碲镉汞晶体.pdfVIP

双相复合生长大直径(中40)碲镉汞晶体 划充岳王金义 f华北光电叠术研究所．北京，1000l卦 【摘要】事z，卜绢』’一坤钎的碲锅震品潍生鹾方法(即顽扭复合生}乇法)．详细划述丁谆 方法的生长吼理和兰兰过程：寸圻r该方．三主k过程岛学啊晶体生长的崮誊(生l主温度，温度娣 度、生旌逯睾、园渣界面等)．总结j+饭万法品体生硅的优点．井提出了晶体生琵过程中存在的 l萄题和改善晶体生曼的措施；通过采取低甚生氏、低温锑度下慢速生长，生长后慢速冷却和适当 jq品片遢火等措藏，获得j’目前国内外报导直径最丈(040mrm、犬单品面积(4～lOcm二)、径向组 n≤5x10“cm 5xl0，an二～“ 盼均匀(^x≤士0003)、光电性能良好’77K下． 3、u。≥l T≥14s； 300k：0．9ram厚的晶片透过毫T≥i5％)的碲褊求翕体。 关键词：碲铺汞 晶体生长 双褶基台 垂直结晶 一．前言 碲镉汞品津是宙II．Ⅵ族H￡、Cd、丁e三元(实为CdTe--HgTe鹰二元)组成 的化台物半导体，是目前公认的一绅最重要的红外探删器材料。由于高灵敏、 高清晰的红外成像系统要求幢用多元、线列和焦平面阵列探测器件，所以生长 具有大单晶面积、组份均匀、结晶完整的碲镉汞材科是碲镉汞晶体研宄发展的 方向。 Bridgman法是碲镉汞晶体生妊的一种常用方法，由r碲镉汞T．x相图(弛幽 1)固相线与液相线分离较宽，这种由液态直接；疑尚生陈出的晶体存在严重的组份 分凝，而且生莨温度较高，容易发生爆炸，其他生长方法(区熔法，Te溶剂法、 固态再结晶法等)，虽然在不同程爱上减少了组份分凝的影响和发生爆炸的可能 眭，但要同时满足高性能器件对材科的整体要求还存在一定的差距。尽管外廷生 长LLPE、MBE、MOVPE等)硅-人为是碲镉汞晶体生欧发展的趋势，但由f外 延研究起步铰晚，薄膜材料生长帮用薄膜材料制作器件的工艺均还不太成熟，所 以体晶生长(尤其是生长的新方==三j、新技术、祈r：艺j仍具有研究的必要性。 二．晶体生长 2．I生长原理 碲镉汞的T_一X相图是碲镉秉品障生长的基本依耀、在Bddgraan法生长中， 等配料组份x，=O s／xlt 2，由于0dTe相对HgTe分凝严重，其分凝系数K=x 3，所以初始崮相组份大fO，5(即B鲁)．此后，液相雨7f州相组份分别沿液捆线和 固相线向下侈动，只有在液相组身洹定在c点：即x，。O．07)时，生长出的晶体组 份才稳定在长波组防对应的D点L如x。。O．2)， 生长原理如图2所示，生跃体系目三部分绲成，{为周相(CdTe或高组份 料j，II为液蔺fH￡丁e业低组份辩)，m为生臣出的品体。 综上所述．叔相复台法生跃嚣是色生睦对坝相(即固相和液相)同时存在，并 庄一定的温度分布下，由高组份埘逐新溶解、输延，维持液相组份不变而发生结 晶的过程。该过程实际上可吾成是一和“连续的液相外延”。 由此可见，舣帽复合法生#1Te溶制：圭生氏，液相外延往某釉程度上有相似 之处，但该方法不是往富R的情：置F生长。因而减少了品体中产生Te沉淀或Te夹 杂的可能性。 19 1095 t ㈣ 蓦i ／ I 湖 【I 瑚 I 铺 ⅡI 0 4 0 6 0 S ＼需鹱甘布凹线 fj璺 N2：生壬原理简图 !gCdTe趵T—X 22生氏装置