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现代MOSFET器件开启电压比较研究 马玉涛刘理天李志坚 清华大学微电子学研究所北京100084 摘要：利底1}均匀掺杂器仃冈为其良蚶的短沟效廊而成为MOSFET器什结构殴计中 的必要结构之一。而沟道杂质分布对开启也屉的影响至关重要。本文针对利底非均匀掺杂的 MOSFET器什提出，表面鳃反刑开启电压和恒定裁流子浓度开启电压的概念，并在数值求解 的基础上验证了两种定义的笛效性。进而系统地对村底杂质均匀分前i、台阶状分布和高斯分 1 布=种典型的沟道掺杂结构器什的升启电爪进行r比较研究。计算结构验证了台阶状杂质分 布结构降低开启电压的作Hj，以及1I均匀掺杂结构相对丁均匀掺杂结构减小开启电压的特 性。计算结果表明，对于台阶状分郁的结构，’j低掺杂区域的宽度小丁耗尽层厚度时，耗尽 层厚度与低掺杂【爻：域的宽J芟基本无必。文中同时给山了一个适jH丁台阶状杂质分布的MOS器 件开启电压的解析模掣。 1．引言 随着器什尺寸的不断缩小，为抑制短沟道效麻，衬底掺杂浓度越来越高。为了保持 在很高的衬底掺；缸浓度时仍7f合适的好启fb压，现代MOSFET器件中J“泛采用非均匀掺杂的 衬底杂质分布结构【1-41。典型的衬底掺杂分布有以r儿种：传统的均匀分布、由外延I。艺形 成的台阶状分布、由离子注入I艺形成的高斯)I|!分布等。近年来在礓O．1微米级的器件中， 横向和纵向都是“：均匀分布的super-halo结构被J。泛采_【}j。 开启电压是MOSFET器什中1I常照要的一个参量。针对衬底1r均匀掺杂的器件开肩 电压的研究也很J泛f2．41。本文针对衬底1I均匀掺杂的情况提{Ⅱ了恒定载流子浓度开启电 压，利用数值方法比较了通常采川的表面强反型开肩电压和恒定载流子浓度开启电压的等效 性。爿系统比较了均匀分布、台阶状分布和商斯分布的利底掺杂器件的开启电压特性。 2．模型及结果讨论 喇开启电压)c往均匀掺杂衬底情况F，表面强反硝的条f『，|f是表面势达到两倍的体费米势， ． Nsub 即：庐、：2≯，：2墨曼lnf 1。然而．庄衬底1r均匀掺杂时．没有一个明确的衬底掺杂 盯 ＼ ”， J 422 对不同村底掺杂分布情况F的器件开启电 压进行比较研究，本文采用表面反型层达到 一定的栽流子浓度时的栅电压作为开启电 压的定义(以下称为恒定载流于浓度开启电 压)。为了证明该定义的合理性，我们在均 匀衬底情况r分别计算了两种定义r的开 1自， ’E’● 启电压■和■…。在计算中一律取棚氧厚 $ubstrate dopingconcentration(cm4)) 度为5nm，并假定平带电乐为0V。恒定载 幽I： 均匀掺杂村底情M下两种开启电艇盟耗 流子浓度开启电压的计算中取开启时的反 堪层宜度比较。图中实线为表面强反型开启电 型层载流f浓度统一为 Jh．虚线为恒定载流了．浓度开启电烁。 Nt。hre““=3×10“1cm～。对丁衬底均匀掺杂 的情况两种开启电肤的比较研究结果由图1给出。计算结果表明：在村底掺杂浓度为 5×10”cm。至3×10”cm。范闹内，两种开启电压的差别不超过3％。这表明两种定义的开启电 压对于均匀掺杂的沟道结构来讲，基本上可以认为是等价的。由此可以假定MOS结构开启时 的载流子浓度与沟道内的掺杂情况芙系不是很人。冈此我们有理由将这种等价性推J“剑淘道 非均匀掺杂的情况。 对丁衬