新型理想功率半导体器件的研制构想-无C%5cB功率BJT.pdfVIP

新型理想功率半导体器件的研制构想—— JT 无c／B功率B 陆国杰 (辽宁量体管厂、锦州市第2l信箱、121001) 攮要I … 奉文是基于笔者从双撮蜃律管瑚T集电极电流特性理论研究…中得出的以逼称=次击穿 smut)．为外观裹征的电流击穿∞理论而曩出的“无c倡功14mrr”的研制构想。意在发布信 息并进箍健成协作开发．文中对S他机理解释做了述评．概述了∞理论和由此得出的新理论 发现，论证指出充分利用或者有效抑翻∞是功率半导体嚣件开拓发展的共性前提，进而提 出了研制一共新疆。无C／B功率B盯”器件的理论拘想，还介绍了与此硎相关的几项具体 技术．最后预示出此类堪称理想功率半导体嚣件所能拥有的全倪性能． 一、引 曹 现代硅功率芈导体器件(集成按展趋势是以提高耐压能力、增大平均建导电漉密度、缩 短开关时间、降低功耗、减轻翦级驱动和扩大电能交投控崩功能为主耍目标。迄今。除主要 的硅单元眷件双极晶体譬B玎，晶闸管sc震、静电癌应晶