高介电常数微波介质陶瓷和其低温烧结的研究进展.pdfVIP

中国陶瓷工业 CHlNACERAMlClNDUSTRY Oct．2010 2010年10月第17卷第5期 V01．17．No．5 文章编号：1006—2874(2010)05—0052一07 高介电常数微波介质陶瓷及其低温烧结的研究进展 李月明 张华 洪燕 王竹梅 沈宗洋 (景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院，景德镇：333403) 摘要高介电常数微波介质材料是实现现代微波通信器件要求的微型化、集成化发展趋势的重要材料，针对多层结构设计的 器件要求，需要微波介质陶瓷能与高电导率电极实现低温共烧。本文综述了近年来高介电常数微波介质陶瓷及其低温 烧结研究的最新进展．指出进一步提高陶瓷的介电常数和研究新型低温烧结助剂是今后发展的趋势。 关键词微波介质陶瓷，高介电常数．低温烧结 中图分类号：．rQl74．75文献标识码：A 1 引言 化时，材料的8，下降，Qf值上升，下，由负变正(见表1)121。由 近年来随着移动通信、卫星通信、全球卫星定位系统 密的陶瓷体，因此，必须加入添加剂进行改性，这样既提高了 (GPS)以及无线局域网(WLA)等现代通信技术的飞速发展和 烧结性能，降低了烧结温度，又提高了Qf值。常用的添加剂有 日益普及，对微波介质陶瓷类微波元器件有着极大的需求，同 时，也对微波介质陶瓷类微波元器件提出微型化、高频化、集 BaO—Nd20广Ti02为典型代表。 成化和低成本化的要求，以低温共烧陶瓷(10w-temperature co-fired ceramic，urCC)技术为基础的多层结构设计可有效减 代表之一。首先由松下电器产业中央研究所试制成功。主要用 小器件体积，是实现上述要求的重要途径，凶此，制备能与Ag 于800 或Cu共烧的低温烧结、具有高介电常数的微波介质陶瓷及 器件已成为世界各国的研究热点。本文综述了近年来对高介 电常数微波介质陶瓷及其低温共烧研究的最新进展。 000 8f-70—90，Qf值可达3GHz以上，T，接近零。后来， 2高介电常数微波介质陶瓷体系 ooo 陶瓷3GHz时有很高的Qf值(4GHz)和8，(78)。用少量 的sr取代Ba，会使温度稳定性更好。增JJⅡsr的掺入量(0—2 高介电常数微波介质陶瓷的介电常数e，值通常大于 80，目前此类材料的研究集中在三个体系：钨青铜结构 为3 BaO-Ln删02体系、铅基钙钛矿系列和复合钙钛矿结构 CaO-LitO--Ln20，nO。体系“I。它们的品体结构均有一个共同 的特征，即晶体是以顶角相连的氧八面体三维网状结构。正是 表1Ba4．,5I．,ngTi，80飘材料的微波介电性能 这种氧八面体的存在导致高8，的产生。 Tab．1Microwavedielectric of 2．1BaO—np广1102体系 properties B