单分子层对于有机薄膜晶体管性能影响物理原因分析.pdfVIP

2013年全国博士生学术论坛一电子薄膜与集成器件 单分子层对于有机薄膜晶体管 性能影响的物理原因分析 王龙李泠刘明’ (中科院微电子研究所，纳米加工与新器件集成技术研究室，北京100029) 摘要：近些年来，有机薄膜晶体管得到了广泛的研究。其中。在晶体管界面处引入单分子自组装层更是人 们常用的改善有机晶体管性能的方法。但是，单分子自组装层对于沟道载流子传输以及有机半孚体表面态密度 的影响，并未有人研完过，而这对于研究单分子层对于器件性能的影响至关重要。因此。本文在理论上分析了 偶极层对于有机半导体态密度分布以及载流子传输的影响，提出了一个包含偶极层的跳跃传输模型。基于这个 模型，偶极层改变了每个定域态的能量，从而进一步增加了能量失序，拓宽了状态密度分布的定域态，但是并 不影响态密度分布的分布中心。通过理论模拟以及相关实验数据的比较，在器件性能方面，随着单分子层偶极 矩的增加，薄膜晶体管的迁移率以及亚阈值摆幅特性也都随之下降。 关键词：有机场效应晶体管 自组装单分子层 态密度偶极矩 E-mai l：wanglong@ime．ac．cn电话 1 引言 近年来，基于柔性，廉价，可批量制造的特性，有机薄膜场效应晶体管得到了广泛的重视和研究[1】。 thin—fitransi lm 一般来说，在OTFT(organic stor，有机薄膜晶体管)中，载流子主要在有机半导体中 靠近介质层界面处的几个分子层内传输，因此对于OTFT的性能而言，晶体管介质层与有机层之间沟道传 输界面的特性好坏至关重要。在介质层界面修饰单分子自组装层是一种常用的用来改善沟道界面的方法。 基于不同自组装分子自身的特性，相应器件的阈值电压以及迁移率等特性的变化会差别很大‘21。长久以 来，人们一直将,SAM(self—assembly 级以及有机半导体表面态密度的影响尚未解决。因此，我们提出了一种基于可变跳跃理论的物理模型， 来探讨偶极层对于态密度以及定域能级的影响，并在此基础上，进一步探讨其对于有机场效应晶体管性 能的影响。 2理论模型 对于无序的有机半导体，通常假定用高斯分布的状态密度函数来描述有机半导体中定域态的能量分 布，即为 北)=去唧[-等] 弘，， 其中，gi怛)表示有机半导体内定域态的能量分布，Ⅳ，为单位体积的态数目，F表示能量，盯表示 态密度宽度。g怛)表示偶极层影响下的状态密度分布函数。 245 2013年全国博士生学术论坛一电子薄膜与集成器件 图1OTFT结构中偶极子与电荷相互作用示意图 如图1所示，偶极层位于半导体层与介质层之间，形成的偶极矩为户：应，三的方向从负电荷指 向正电荷。当裁流予电荷被定域态捕获时，其会通过库仑力与偶极矩作用产生相应的势能E。，由于偶 极子的力’向臼任意，电荷与偶极子相互作用的总能量为 ≈-2≈j2 —型生1d锹p：一』0 (2—2) E。=』』EccdOdcp 2 月，2 0 4ergos，(f／COS缈)2J 8占。占，t 其中，q为元电荷，F。为真空介电常数，占，为相对介电常数，P表示偶极矩，，／cos缈表示偶极 矩给定情况下定域态中电荷与偶极子的距离。 在整个库伦束缚能上的定域态状态密度分布即为 2 p3， gk，)一桃蚓…，qp