硅酸镥单晶体生长方法研究.pdfVIP

第 11卷第 1期 沈阳工程学院学报 (自然科学版) Vol_llNO．1 2015年 1月 JournalofShenyangInstituteofEngineering(NaturalScience) Jan．2015 硅酸镥单晶体生长方法研究 周文平 ，牛 微 ，刘旭东 ，唐 坚 ，‘毕孝国 ，孙旭东 (1．沈阳工程学院 能源与动力学院，辽宁 沈阳110136；2．东北大学材料与冶金学院，辽宁沈阳110004) 摘 要：结合掺铈硅酸镥 (ce：LuSiO)粉体的组成与性能特点、提拉法和焰熔法晶体生长工艺异同，讨论了目前使用提 拉法生长掺铈硅酸镥单晶体存在的坩埚溶蚀、组分挥发、杂质浸入、闪烁性能不稳定等问题和原因，提 出使用焰熔法生长 ce：Lu2SiO5单晶体可以有效解决这些问题，给ce：Lu2SiO5单晶体的生长提供 了一个新的研究方向。 关键词：掺铈硅酸镥单晶体 (ce：LuSiO)；提拉法；焰熔法 中图分类号：0782 ．3 文献标识码 ：A 文章编号：1673—1603(2015)01—0086—04 闪烁晶体广泛用于多种领域 内，如核物理、高能物 如金红石单晶体，其原料组分的熔体在真空或氧分压 理、天体物理、地质勘探、石油测井、核医学成像、工业 不足的情况下发生分解 ；再如钛酸锶晶体，其原料 无损检查及港安检等，不同应用领域对闪烁晶体的要 粉体中的氧化锶组分和氧化钛组分有不同的熔点，如 求不尽相同¨J。20世纪90年代，由于高能物理领域 在熔体状态下保持，将改变熔体的组成。相比之下，焰 和核医学成像领域对于正电子断层扫描(PET)的迫切 熔法生长晶体无需盛装熔体的坩埚，熔体保持时间短 需要，对具有高密度、快衰减等特点的闪烁晶体的研究 正好补充提拉法的不足。如金红石单晶体、钛酸锶单 和开发出现了前所未有的热潮 ，其 中非本征型 Ce激 晶体都是使用焰熔法生长的 。 活的硅酸镥闪烁晶体 (Ce：LuSiO ，简写为Ce：LSO) Ce：LSO原料及其理化性质 因其优异的闪烁性能和物化性能，而被公认为是高时、 空分辨率的PET机用的最佳闪烁晶体_1J。 尽管有文献H 报道使用溶胶凝胶法制备掺铈硅 目前，Ce：LSO单晶体的制备方法有提拉法和溶 酸镥 (Ce：LSO)原料，但是Ce：LSO单晶生长所用原 胶凝胶法 J，而 能够 商业化应用 的只有提拉 料是使用高纯 (99．99％)的Lu2O3、SiO2和CeO2经固 法 。提拉法是晶体生长的一个基本方法，目前应 相法合成的¨卜]。各原料经焙烧后按下式所示比例 用的很多晶体都是使用提拉法生长的，但提拉法并不 进行称量： 能生长所有的晶体。相对于焰熔法生长晶体，提拉法 SiO2+(1一 )Lu2O3+2xCeO2=Lu2f1-x)Ce2SiO5 的典型特征是要使用盛有熔体的坩埚。因此，提拉法 其中， 为熔体 中掺杂 Ce原子 的摩尔分数 ( 取 生长晶体的基本要求是坩埚本身在生长条件下不会被 0．25％、0．5％、1．O％、……)，晶体中的掺杂浓度则是 氧化而损坏，原料熔体与坩埚材料不会发生化学反应， 与分凝系数的乘积。 原料熔体组分保持均匀等。经常使用的坩埚材料有石 原料经称配、研混均匀后，在液压机下压紧成块并 墨、钨及其合金、铂金、铱金等，为保证生长条件下坩埚 在 1000—1200oC烧结以起固相反应，烧结好的原料 的化学稳定性，生长过程一般在真空或惰性保护气氛 放在干燥箱中保存待用。Ce：LSO原料及各组分的理 中进行。显然并不是所有的材料都