一种适用于中子管离子源的高增益交错并联升压变换器.pdfVIP

第 46卷 第 3期 东 北 师 大 学 报 ( 自 然 科 学 版 ) Vo1．46No．3 2014年 9月 JournalofNortheastNormalUniversity(NaturalScienceEdition) September2014 [文章编号]1000—1832(2014)03—0093—06 doi：10．11672／dbsdzk2O14—03—018 一 种适用于中子管离子源的高增益 交错并联升压变换器 张 洋，乔 双 (东北师范大学物理学院，吉林 长春 l30024) [摘 要] 针对离子源 电源 ，提 出了一种新型的高增益交错并联升压变换器．并详细地分析 了 该变换器的工作机理，给出了稳态工作性 能分析和主要电气参数的实验波形．该变换器与传统 的升压变换器相比，具有输 出输入变比高、效率高、输 出电流纹波低、工作性能稳定和控制电路 简单 的特点．最后 ，通过一个 2kV、功率 2Ow 的原理样机验证 了理论分析的正确性． [关键词] 中子发生器；离子源 电源；交错并联 Boost电路 ；升压变换器 [中图分类号] TP17 [学科代码] 140·35 [文献标志码] A 0 引言 中子发生器与普通同位素中子源相 比，其中子产额高、能谱单色性好 、无 y本底 ，且可 以产生脉冲中 子，不用时可以关断，还具有易于防护 、存储管理和运输方便等特点．因此，中子发生器在中子测井、煤质分 析 、中子照相和爆炸物及毒品检测等方面有着广泛的应用[1]．中子发生器主要结构如图 1所示．离子源 的作用是将储存器释放出的氘氚气体电离 ，产生所需的离子．直流离子源电源在 当今使用最广泛 ¨6 ，中 子发生器对直流离子源电源的供电要求在1．8～2．5kV连续可调，电流为0～5mA．由于市电整流滤波 后的直流电为 300V左右，远不能满足离子源电源的供 电要求，因此需要一级升压变换器．现今升压变 换器主要分为隔离型和非隔离型[9。．非隔离型升压变换器多是采用基于 Boost变换 的拓扑结构[9 ． 而传统 Boost变换器变 比低 ，难以满足离子源 电源高压的要求．为 了提高增益 ，在单相 Boost变换器 的 基础上拓展了2个或 2个以上串联的Boost变换器，电压增益相应提高，但能量经过多次处理，会影响 效率 ，电池兼容 EMC性能也较差．文献[11—12]中的三电平 Boost变换具有较高 的效率 、较低 的开关管 和二极管的电压应力的特点 ，但其电压增益不能满足离子源电源 的升压要求．文献E15]提出了一种把非 隔离型的Boost变换器和隔离型的全桥直流变压器相结合 的方式实现高增益升压 ，并在设计过程中采 用软开关技术提高了整机效率，虽然其输入输 出变比大，但该电路也面临结构复杂、体积大、成本高的问 题．文献[13—14]针对隔离型升压变换器的结构分别提出了一种新型软开关DC—DC变换器和反激整流技 术 的升压DC—DC变换器，这类隔离型升压变换器可达到较高 的增 益和宽广的负载调整范围，但 由于变压器的存在 ，使其体积增大和 成本增高 ，漏感 的影响使开关管 的电压应力增大 ，易 出现磁饱和现 象．近年来 ，直流变换器 系统广泛使用交错并联技术[1。 ．该技术 具有动态响应好、低电流纹波率 、易于抑制 电磁干扰等特点成为研 究的热点，但该 电路也存在变比较低 、子 电路难以实现功率均衡 的 问题．文献 [20]在传 统 Boost电路 的基础上改进 了设计，并结合 图1 中子发生器 [收稿 日期] 2013—11-06 [基金项 目] 国家 自然科学基金资助项 目；吉林省科技发展计划项 目(20l10358)． [作者简介] 张洋(1990 )，男，硕士研究生；乔双(1963一)，男，教授 ，博士，主要从事功率 电子学、核电子学及相关应用领域研究 94 东 北 师 大 学 报 ( 自 然 科 学 版 ) 第 46卷 Cockcroft—Walton电路实现大变比，且具有控制简单、可靠性高的特点，但该设计的变换器效率