双向可控硅静电防护器件与应用.pdfVIP

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2017-08-10 发布于安徽
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双向可控硅静电防护器件与应用.pdf

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双向可控硅静电防护器件的应用李亮苏州市职业大学电子系朱科翰昆泰集成电路（上海）有限公司电邮：prcken@ k 发言人：李亮 l a T D S E Chrontel 提纲 1. 芯片静电防护的瓶颈 2. 双向可控硅静电防护器件结构 3. 此双向器件的应用 4. 结论与展望 k l a T D S E Chrontel 芯片静电防护的瓶颈 • 随着半导体工艺特征尺寸进入纳米时代，在限定的芯片面积内，功能模块集成度增加，迫使芯片内静电防护器件的面积减小。但是外界的静电并没减小，所以芯片受到静电的威胁加重。 • 急需一种结构紧凑，抗击静电性能优良的静电防护结构。 k l a T D S E Chrontel 双向可控硅静电防护器件结构 k l a T 双向可控硅器件结构和寄生电路图 D S E Chrontel 双向可控硅静电防护器件应用 k l a T 作为输入静电防护时的等效电路图 D S E Chrontel 不同电源线之间采用二极管连接 k l a T D S Ref.: Ming-Dou, K., C. Hun-Hsien, and C. Tung-Yang. ESD buses for whole-chip ESD E protection. in Circuits and Systems, 1999. ISCAS 99. Proceedings of the 1999 IEEE International Symposium on. 1999. Chrontel 双向可控硅代替二极管 k 不同电源线或静电总线之间的应用 l a T D S E Chrontel 此应用中二极管的缺点和双向可控硅的优点 • 串联二极管可能存在达林顿效应，使得正向导通压降减小 •二极管的个数由两边电压之差和噪声容限决定。 •二极管的正向导通电压低，要考虑上电时序的问题。 •而使用一个双向可控硅器件，上述问题基 k l a T 本上解决 D S E