多晶材质电子结构及热电性能的模拟.pdfVIP

!!坚 丝 丝 丝 垫 !!!!釜塑型!塑!鲞 多晶材质电子结构及热电-l生能的模拟+ 王春雷1，张家良1，李吉超1，赵明磊1，陈惠敏1，一，梅良模1 (1．山东大学物理与微电子学院，晶体材料国家重点实验室，山东济南250100； 2．昌吉学院物理系，新疆昌吉831100) 摘要：发展了一种研究多晶体系电子态以及热电性 界。在得到所期望的多晶结构后，利用模型的序参量构 质的计算机模拟方法。首先采用相场动力学方法模拟多 造晶界的势函数。这里，我们假设两种形式的晶界势： 晶材质图案，再利用其模型序参量构造晶界的势函数， 一种是晶界为势垒，另一种是晶界为势阱，分别表示晶 用近自由电子近似构造体系的哈密顿量。求解薛定谔方 粒导电和晶界导电两种形式。这样就得到了描写多晶材 程得到体系的本征态。通过电荷密度的分布研究电子的 质的系统哈密顿量。采用近自由电子近似，求解薛定谔 限域特征．分析模拟结果发现对于晶界为势垒的情况， 方程可以得到体系的本征波函数和本征能级。通过电子 电子的基态出现在最大晶粒中；而对于晶界为势阱的情 密度的分布就可以得到电子的限域特征。假设体系存在 况，电子更容易限域在多个晶粒交叉的晶界附近．由得 一定的温差，不同能态在空间位置的电荷密度会呈现出 到的本征能级和波函数可以计算出温差导致的电位差， 随空间位置变化的分布，由电荷密度分布就可以得到温 即得到赛贝克系数随温度的变化。结果表明具有导电晶 差导致的电位差，即赛贝克系数。利用这一方案我们研 界的多晶体的赛贝克系数要高于具有导电晶粒的多晶 究了多晶体的赛贝克系数随温度的变化。 体。 2模型和方法 关键词： 多晶；模拟；电子结构；赛贝克系数 中图分类号：0482．6；041】．3；0242 1文献标识码：A 本文在二维方格点阵上模拟多晶图案。考虑到在求 文章编号：1001．973l(2007)增刊．1384．03解哈密顿量时，计算机内存大小的限制，这里选取 1 引言 寸小许多，但是仍得到了理想的多晶图案。计算机模拟 得到的多晶图案如图l所示，图案共包含有26个晶粒。 热电材料是利用温差电效应，即seebeck效应，实 现热能和电能之间转换的一种功能材料，主要应用于温 平均晶粒尺寸为11．8个格点，平均晶界厚度为1．4个格 差热发电和电制冷以及各种传感器件。目前，影响热电 点。 材料应用的问题之一是热电转换效率较低【1】。提高材料 我们假设晶界分别为势垒和势阱来构造多晶体系 热电性能的途径之一是采用低维化结构8“l，如纳米线、 的势函数。当假设晶界为势垒时，势函数可表示为， T， 超晶格、纳米复合等技术。在低维结构中，量子限域效 (1) 矿(r)=_鼍{l—Inax[妒(，)，％】) 应和界面效应是影响热电综合性能的重要因素。因此， I一％ 如何利用限域效应和界面效应的协同作用提高热电性 其中积r)是相场动力学中被定义为描写微结构的一 能也成为了理论上所要研究科学问题之一。目前，开展 个参量口l，与序参量有关{鲕是一个常数参量，一般远 的相关理论计算多是在规则形状的低维结构进行的，如