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电子半导体镀金槽液中无机砷化合物的形态分
伍利兵赵清贤陈朝方簟
关键词:无机砷化合物、形态分析、镀金
摘要:本文研究建立了电子半导体微电机系统(MEMS)加工镀金s-Z;槽液中无机砷离子的形态分析方
一)元机砷,然后采用石墨炉原子吸收光谱法分别测定含量.该方法的分离效果和检测限均能满足生产
控制的要求,并且具有操作步骤简捷、样品试剂用量少等优点。
arsenic in
Inorganic analysis
speciation
semiconductor
goldplating
Wu Chaofang宰
Libing,ZhaoQingxian,Chen
Zhuhai and
Entry—ExitInspectionQuarantine
arsenic
Keywords:Inorganiccompound,Speciationanalysis,Goldplating,
Abstract:Amethodof arsenic insemiconductorwasestablished.
inorganicspeciationanalysis goldplating
The was EDTAand resin Phase
by SPE(SolidExtraction)column.
samplepreservedby separatedion-exchange
The of GF-AAS.Thedetectedlimitand
determination
As“(As02-)andAslAs043一)wasperformedby
meetthe of contr01.The is andcalldecrease
precision requirememplatingprocedurequaJity operationsimple
reagentconsumption.
一前言
半导体材料进行微机电系统(征MS)加工是电子半导体器件产业发展一个新的交叉分支,其生产过
程经常涉及到镀金工艺。由于工艺要求的特殊性,一般使用添加了剧毒亚砷酸钠盐的TG-25镀金电解液,
因此它们组成比例对镀金效果的影响较大,电镀槽液需要定期监控分析。
目前,对于砷的各种形态分析已经有许多成熟的方法。它们采用的分离模式主要有:阴/阳离子交
槽液中的砷主要以无机砷化合物的形式存在,不像土壤、,沉积物和水等样品含有环境体系中生物代谢而
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等涉及昂贵仪器的联用检测技术;而且操作简便,样品和试剂的用量少,检测的精度和灵敏度能满足半
导体镀金工艺的要求。
二实验部分
2.1仪器
LC-SAX,
石墨炉原子吸收分光光度计PEAA600,带自动进样器AS800;离子交换固相萃取柱(Supelco
3-M1/500mg,Sigma-Aldrich Cat.No.
57032/57020-U);IKAMSl涡旋振荡器;分离装置见图1。
加样、洗脱
1L
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