不同总剂量辐射条件下的高速CMOS电路时间参数退化特性及其机理研究.pdfVIP

余学峰。艾尔肯，陆妩等：不同总剂量辐射条件下的高速CMOS电路时间参数退化特性及其机理研究 不同总剂量辐射条件下的高速CMOS电路 时间参数退化特性及其机理研究 余学峰，艾尔肯，陆妩，郭旗，任迪远 (中国科学院新疆理化技术研究所，乌鲁木齐北京南路40．1号，830011) 摘要：本文对不同辐射环境条件(不同辐照剂量率，不同辐照偏置)下的高速54HCCMOS电路的时 间参数响应特性进行了研究，并对其辐照退化及失效机制进行了探讨，取得了一些有价值的研究结果． 关键词：时间特性，总剂量辐照，损伤 的总剂量辐射效应研究已有不少报导，但这些研究大多集中在直流参数的总剂量辐射响应特性上，对其 时间响应特性的研究尚不充分。随着卫星、航天器和军事系统对器件速度水平要求的不断提高，积极进 行54HC系列高速CMOS电路的时间特性对总剂量辐射响应的研究已显得非常必要和迫切。 本文对比了不同辐照剂量率和不同辐照偏置条件下的54HC电路时间参数辐射响应特性，并对其时 间特性功能失效机理进行了探讨，取得了有价值的研究结果。 实验样品和实验方法 实验样品为市售RCA公司54HC04器件，辐照源为∞CoY源，辐照时样品分为两组，一组的辐照 品的所有输入端连接，浮空辐照。上述三种偏置条件下，样品所有输出段端浮空。辐照前和在预定的辐 照剂量点，降源取出样品进行移位测量，测试的参数有阈电压、功耗电流、输出上升、下降时间及输入 输出延迟时间等，阈电压按美军标MIL-M．38510规定的lO微安恒流法测试，时间参数的测试条件为： 电源电压4．5V，输入脉冲信号频率为1MHZ,幅度为4．5V。每次测试时间不超过20分钟。 2．实验结果及讨论 2．1高速54HCCMOS电路时间参数对总剂量辐射的响应特性 时间Tplll和Tpm分别随总剂量的变化关系。从图中可以看到，随着辐照累积剂量的增加，器件的Tf和 小主要是由于器件在辐照中N沟阈电压负向漂移，绝对值减小，导致N沟开启速度加快引起的，而Tr 和Tplll辐照后较大幅度的增大则是由P沟阈电压负向漂移，绝对值增大，导致P沟开启速度变慢所引 起的。 2．2不同辐照偏置状态的时间响应特性 电离辐射导致的高速CMOS器件的时间性能参数退化，不仅与辐照累积总剂量有关，而且与工作 加偏状态有密切的关系。以对总剂量辐射敏感且较重要的时间参数Tr为例(如图l所示)，输入端+5V 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集 Told ToW D咐IO，lS∞ Dine徊蝴_m 图l输出上升时间与总剂量的关系 图2输出下降时间与总剂量的关系 O,,-e Told嘶·la叭Sm ，Told I刚S∞ 图3输出延迟时间Tplh与总剂量的关系 图4输出延迟时间Tphl与总剂量的关系 左右，而变化最小的0V偏置条件下Tr仅增加约10ns，浮空偏置状态下的Tr变化幅度则在上述两种之 间。这一实验现象表明，高速CMOS电路的总剂量辐照时间响应特性对辐照偏置表现出相当强的依赖 性，而这种依赖性与阈电压、静态功耗电流的辐照损伤对辐照偏置的依赖性具有一致性，显示有相同的 最劣辐照偏置。 2．3不周辐照剂量率的时间响应特性 下随总剂量的变化关系，从图5可以看到，两种剂量率条件下，OV偏置辐照的样品的Tpm变化都较小， 差异不大。但5V辐照偏置条件下，两种剂量率下的Tplh都有较大幅度增加，且低剂量率辐照的样品 的Tplh比相应高剂量率辐照的大，原因是低剂量率辐照条件下，样品P沟产生较多的界面态，导致其 开启速度变慢。图6中，5V辐照偏置条件下，两种剂量率辐照的样品的Tphl都随辐照累积剂量的增加 而减小，且差异不大，其原因是5V偏置条件下，N沟氧化物电荷大量增加，导致N沟开启电压负漂， N沟开启时间加快；0V辐照偏置条件下，低剂量率辐照的样品的Tplh随辐照累积剂量的增加而增大， 而相应高剂量率辐照的样品的Tpm反而减小，分析认为，样品在低剂量率OV偏置辐照下，N沟界面 态大量增加导致的