光子you发正电子湮没分析技术在金属材料缺陷特性分析中的应用研究.pdfVIP

光子诱发正电子湮没分析技术在金属材料缺陷特性分析中 的应用研究 杨并；罡P．李铁柱2．杜英超1．李元景1，刘以农‘ 1‘清华大学工程物理系，100084 2’同方威视股份有限公司，100084 摘要：本文研究了利用高能X射线对被检测材料进行正电子湮没分析的技术。与传统使用 正电子发射体(如放射源)不同，本研究能够在材料的内部产生正电子，从而能够实现对材 料深处缺陷的检测。论文建立了一个基于15MeV电子加速器的实验装置，并对低碳钢材料 在不同拉伸情况下的缺陷特性进行了检测。实验结果显示，对于不同拉伸程度的材料，本技 术能够对其缺陷特性进行检测。 关键词-高能X射线l正电子湮没分析l缺陷检测； ．‘』．-J- 一．刖吾 传统的正电子分析技术 利用正电子在材料中与电子发生湮没效应时产生的511keV-r射线，可以对材料的微观缺 陷特性进行分析，这方面的工作已经开展了相当长的时间【l】。但是在传统的方法中．正电 子都是在射入被探测的材料之前就已经形成了(以p+放射源或加速器的方式产生)，由于电 子在物体中的质量厚度射程很短，仅为g／cm2／MeV的量级，因此只能够分析材料浅表处的 特性。而实际应用往往需要对材料内部的缺陷进行测量，其深度可能会达到几个crn或更多， 例如飞机发动机的涡扇叶片。本论文开展的PIPA技术研究则能克服传统正电子分析技术的 固有缺点。 2．PIPA技术的特点 光致正电子分析技术，简称PIPA技术。是由美国IDAHO国家实验室提出的一种技术方 案【2】。它利用高能电子加速器产生高能的X射线，通过X射线在材料中产生正电子来进行 正电子分析。由于X射线不会受到电子有“最大射程”的限制，而且其穿透物质的能力很强， 所以这种技术方案能够对材料的内部缺陷特性进行分析。它在材料深度方面的限制并非来自 于X射线的穿透能力，而是来自于正电子湮没之后产生的相对低能的511keV-／射线。但是 对lOom的分析厚度要求来说，51lkeV7射线的穿透能力仍然是可以满足要求的。 本论文建立了一个基于15MeV电子加速器的PIPA实验装置，利用该装置开展了PIPA 实验——对5种不同拉伸情况的低碳钢材料进行了测量，得到了PIPA分析结果与材料拉伸 情况之间的定性对应关系。 二．物理基础 1．光中子反应 当X射线的能量足够高时，原子核A就有可能因为吸收的能量超过原子核最后一个中 。杨裨罡，男，清华大学工程物理系，副教授，博士 研究方向：辐射物理及探测。 巳mail：Y堑碰g垫g堡皿鲍：堡也gb蛆：四坚：垒 电话：010 908 子的分离能而发生光中子反应——形成一个自由光中子和一个减少了一个中子的子核B。当 X射线的剂量率很高时，光中子就可以形成相当强的光中子源(可达1011n／s)【3】，而子核B 则由于成为了缺中子核而可能具有p+放射性。由于要克服最后一个中子的分离能，因此光 中子反应是阈能反应，除了对9Be和2H这样的低阈能核素之外，对其它核素的光中子反应 闽能多在几个MeV或更高。 2．正电子的产生、慢化与湮没 光中子反应之后的子核B因为减少了一个中子而偏离了p稳定曲线，因此有可能发生p +衰变而成为C(具体能否发生，要看B原子的质量是否比C原子的质量大1．022MeV／c2)。 B+衰变时会放出一个正电子，其最大能量在几百keV到MeV的量级。由于X射线在物质中 的指数衰减规律(不考虑散射X射线的效应)，因此即使在材料的深处也有可能发生光中子 反应而形成正电子(尽管随着深度的增加，正电子的产生会减少，但由于高能X射线的穿 透能力很强，其在材料中的衰减可在一定程度上忽略不计)。这些具有连续能量分布，且最 大能量仅为MeV量级的正电子将会很快在材料中被慢化并最终与电子发生湮没效应，形成 两个51lkeV的丫光子。正电子从其产生到发生湮没，典型的时间为ps量级，其径迹所覆盖 的范围(在固体中)在mm量级【4】。 3．正电子湮没谱与缺陷之间的关系 与正电子发生湮没的负电子，既可能是动量较大的核外内层电子，也可能是动量较小的 核外价电子。当材料中出现了某种缺陷时，例如位错，则在该位置将会出现动量更小的电子。 在正电子与材料中的负电子发生湮没时，由于正负电子都非静止，考虑到多普勒效应，湮没 之后产