AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究.pdfVIP

胡 宽等：舢N薄膜腔声谐振器的制备及性能研究 A1N薄膜腔声谐振器的制备及性能研究木 胡 宽，顾豪爽，张凯，胡 光，吴小鹏，熊 娟 (湖北大学物理学与电子技术学院暨铁电压电材料与器件湖北省重点实验室，湖北武汉430062) 摘要： 采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电 后在背部光刻并用反应离子刻蚀(对E)．工艺刻蚀 材料的薄膜腔声谐振器，研究了器件结构中谐振区形状 和面积对谐振器性能的影响．以X射线衍射仪、扫描 以适当量的异丙醇)为刻蚀液，刻蚀窗口下的Si，得到 电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌，高频网络分 背部空腔。实验中电极以及AlN薄膜的沉积皆采用 析仪表征谐振器频率特性．测试结果表明，谐振器所用 JGP2560CV型高真空溅射仪完成。 AN压电薄膜具有c轴择优取向及良好的柱状晶结构； 匹Ⅺ上电极层ⅡⅡⅡ圳压电层ZZ刁下电撮层E=j支持层[二]sl村底 器件频率特性良好，谐振频率达1．759G№，机电耦合 系数3．75％，品质因数79．5．通过研究不同谐振区形状、 面积谐振器的性能，明确了结构因素对器件频率特性的 影响，分析了其中的机制． 关键词： 薄膜腔声谐振器；氮化铝压电薄膜；频率特 性 中图分类号：TN405 文献标识码：A 文章编号： 1001．973l(2007)增刊．0735．03 l 引 言 图l 薄膜腔声谐振器结构示意图 resonator l Schem撕coffihnbulkacousnc Fig 随着无线通信系统的迅速发展，市场对于高性能的 用FonIlTalysurfS4C型台阶仪测试膜厚，德国布 射频振荡器、滤波器和双工器的呼吁越来越高。与传统 的微波陶瓷谐振器和表声波(SAW)谐振器相比，薄膜 体声波谐振器(FBAR)具有体积小、插损低、功率容 量大、工作频率高等优势而倍受关注【l_3】。 抗．频率特性。 FBAR的性能一方面与压电材料的选择及成膜质量 有关【4．5】，另一方面与器件的物理结构因素有关。本文 3实验结果与讨论 利用射频磁控反应溅射沉积出适于器件所需要的c轴择 3．1 AlN压电薄膜材料的质量 优取向AlN薄膜，采用体硅微加工工艺，成功制备了背 图2(a)给出了用射频磁控反应溅射沉积的MN 部空腔型薄膜体声波谐振器，并通过研究不同谐振区形 状、面积谐振器的性能，选取了优化物理结构因素，得 到了较好的频率特性。 2实验 为其截面扫描电子显微镜(SEM)形貌，从图中可以明 图l为制作的FBAR结构示意图。实验前，采用 显看到均匀一致的柱状晶结构，进一步证实了制得的 标准RCA工艺清洗双面抛光的Si片。首先在Si基片 上用等离子增强化学气相沉积(PECVD)生长一层 器的机电耦合系数主要取决于压电薄膜的质量，薄膜的 Si3N邪i02薄膜，作为谐振器结构的支撑层以及背部Sic轴择优取向性越好，谐振器的机电耦合系数也就高。 刻蚀的掩膜层。然后，用直流磁控溅射沉积Pt厂n底电 极，并用光刻、剥离工艺形成底电极图形，利用射频磁 谐振器。 控反应溅射法溅射一层AlN薄膜，再利用与底电极相 同的工艺沉积一层Pt上电极，并得到上电极图形。最 ·基金项目：武汉市科技攻关计划资助项目(20061002073) 收到稿件日期：2007．05．17 通讯作者：顾豪爽