VLSI%2fULSI中金属化系统的蓄水池效应.pdfVIP

VLS l／ULS I中金属化系统的蓄水池效应 李志国李秀宇朱春节郭春生吴月花 (北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京100022 影响很大．本文对蓄水池效应进行了研究，设计了12种不同的蓄水池结构，进行了电迁移和应力 迁徙实验：研究了蓄水池面积．通孔位置，数目及大小等对互连线电迁移寿命的影响和电迁徒与应 力迁徙(SM)的关系；研究结果表明，蓄水池面积的大小和位置是影响电迁移寿命的主要因素． 关键词：互连线，蓄水池效应，电迁移 1引言 随着半导体制造工艺的不断进步，器件密度及性能不断提高。金属互连线的宽度不断减 小，互连线中的电流密度和功率密度不断增加。在高电流密度作用下，互连线中的金属原子 将会沿着电子运动方向进行迁移，即所谓的电迁移。电迁移能引起金属离子在互连线中重新 分布，在金属离子移走的区域形成空洞，增加了互连线的电阻；随着电迁移运动的加剧空洞 不断长大，最终导致互连线开路；而在金属离子堆积的区域容易形成晶须，随着金属离子不 断堆积，晶须持续长大，最终造成相邻互连线或层间短路。 金属互连线的电迁移失效是决定集成电路寿命的重要因素。膜材料类型、结晶结构、互 连线几何形状、电流密度、温度等都影响着电迁移寿命。本文重点研究多层互连线结构及通 孔设计对电迁移和应力迁徙对耗尽区金属离子的补偿作用，最后提出了提高互连线电迁移寿 命的措施。 2基本原理 如图1所示，具有阻挡层w通孔的多层金属化系统中，在通孔中由于w不易迁徙而形成 了“阻挡边界”，因此电迁移失效更易在W通孔附近区域发生。这是由于位于通孔处下方的 金属离子在电子风作用下向右迁徙不断流失，而通孔上方的金属离子却不能穿越阻挡边界来 补偿通孔下方出现的空位，随着电迁移的加剧，空洞不断扩大，直至引起开路失效。多层互 连线结构中电子流上方的帽盖、通孔区域及互连线末端(end lap)组成的部分即为蓄水池区， 如图2所示． 研究表明，在多层互连线结构中，接触，通孔处即所谓的“蓄水池区(reservoirarea)”的 存在对电迁移的寿命产生影响【”l。Nguyen等人通过对具有不同蓄水池区面积的结构进行数 基金项目：电子元器件可靠性物理及应用技术国防科技重点实验室资助项目(51433020305QT0101) ·9· 值模拟．并将空洞形成前互连线能够承受的临界府力作为失效标准米分析蓄水池扭面积对电 迁移寿命的影响吼J．Dion[41对不同线宽的互连线蓄水池效应进行了分析。 —》。 剖l通孔处空洞的分布 图2典型的蓄水池结构 所谓蓄水池效应(ReservoirEffect)是指在金属互连线中有一部分区域能够提供犬量的金 屈离子(就如同一个金属离子阵)，在电迁移过程中能够填充接触孔，通孔跗近且连线中缺炎 的盎属离子，为阻挡边界附近区域不断在电子风作用Fj王穆走的金属离子提供补偿，从而抑 制空洞形成和扩大。蓄水池区域的存在可以臧缓电迁移{I起的失效，从而延长互连线的寿命。 3样品设计及实验 为了研究蓄水池敬应对电迁移拜命的影响，研究蓄水池面积、通孔数目、通孔大小及结 构、end1ap等因素的作用．设计了12种互连线结构．如圈3所示，黑色方块为通孔区域，其 中K、L通孔面积为4×4urn2．其余通孔面积均为2×2um2。箭头方向为屯子流方向。 本实验利用HPVEE控制进行线上测量．实验及测试框图如图4所示。在电迁移实验前， x 样品在200C高温烘箱中通氮气退火4h。由PC机控制电流源加载在通孔上的电流密度为1 106A／cm2．控制万用表测试通孔电阻。以电阻增大50％为失效判断依据。为了加快实验速度． 通过温箱控制实验温度恒定在200C。图中的多路开关J{{i来控制对多个样品进行删试时的接 口选择。 蚓崩。 引 划崩 崩。崩。 圈3十__二种互连线通孔结构