硫酸浓度对多孔硅粉的形貌和比表面积影响.pdfVIP

硫酸浓度对多孔硅粉的形貌和比表面积影响 鐾学明’ 别刚、正诲 cn』 f重履^学化学化I：【学院，重凭400030．Pmail：川洲Jngli缸r州edu 多孔硅是一种具有啦纳米硅朦子簇为骨颦的海绵状结构的新型功能材料，芒肓着报其丰富螗彤貌特 征，而且与奉征硅曲陛质再很大的差异，如具有太比表面程+高电阻翠L一厘很高的化举和生物活吐等 多孔硅的这种特殊形貌使它臣很多领域都具有整在应用竹值“．目1990年L下Canham首次发现i多孔 硅的发光性能后“，不同的许宽小组埘基于多孔硅的}蛙光电子嚣竹 能挥和台能捌抖等1“进行r广泛 而深八的研究．目前，多孔硅曲制备万浩有多种，禹T能谴制备：t程午多孔硅鞴蚀均匀、点五{I_【录用化 学浸蚀法卜”研宽不嗣H，s()。)采度对多．}乙硅籽形舰南比表面_#_彰啕 1宴齄 1I多孔硅柑制备 本实验是眦多晶硅精作为厚料压用亿学最蚀坛制备事孔畦粉而成E州比表面积大小及形靛特征 隙与本身的粒度有关外．王要与所选研曲oE学瑾蚀体系有置要验中选用由112SO．1IF厦氧化荆NaNO， 肝蛆成的墁蚀体系，在28℃下．对粒度为60～so目的畦扮进行化事，}蚀考察H，SO。浓度对多孔硅的比 表面积和彤貌的彩响及关系 1 2多孔硅粉彤貌与比表面积蒯定 OOkV放赶 采用TESCANVEGA儿扫描电子显徽镜删战争孔硅粉表面彤兢，磊阵为：澈发电压20 倍数2000倍采用Mecromerifics 却阱温厦77IK 2结果与讨论 2I化学浸蚀浓度与多孔硅柠表面形貌的芙辱 田I为多晶硅粉在不同tt2SO．浓度浸蚀下的SEM图片分析表明：经化学浸蚀后，原率平整的畦粉表 面形成7大量随机分布的纳米硅厚予蔟组成的类似海纬状结构且斯形成的孔尺j不一、打布不均匀 随着墁蚀浓度丧化，畦榜表面的结构明显变化当H：sq难度为552％对所形成的海端状结构达到极至， 其骨槊由诸硅席子蔟间没有靖晰的界面，井出现大小孔叠套现象．且孔径和孔密度都明显螬大。究其原 田这与多晶畦粉颗粒各向异性有关，因为午同组成的化学浸蚀液对不同晶面硅材料具有不同的腐蚀速 度，同时．多孔硅糈表面分有大量直径为数纳米的细微孔洞，这些纳术级孔嗣的存在使拓宽乡孔硅粉的 研究领域，开发新材料及探索其应用具有重要意义。 silicon etchedm a}543％fhJ；52％fc】559％ powdel H洲SO FigISEMlm39∞d即mus o一”aIlon5f 2．2化学浸蚀温度对多孔硅粉比表面积影响 表l路出了28C耐不同H2s04维度下制备的多孔硅柑比表面积变化清况，由表叮知：多晶硅粉经化学 联系人简舟：橥学明(1967一)，教授，主要从事材料化学．腐蚀与防护、光纤传蒋等方面研究 基金赉助：国家自然科学基金资助项日 D．031 浸蚀后，比表面积明显增大；在实验温度范围内，随着温度升高，形成多孔硅粉的比表面积增大．其原 因是温度越高，反应物扩散到达硅粉表面速度越快，使发生的化学浸蚀反应速度加快，进而形成数量更 多的纳米级细微孔洞． 表l不同H2SO。浓度浸蚀下多孔硅粉比表面积 !!!生!!缝!￡竺i曼!!竺旦墼：!!璧21巴尘塑：塑i!竺巴=璺竺磐璺竺垒堑l!竺!望：!Q±!!竖望!翌!i211 H2s04浓度／％ BET比表面积／cIn2／g 未浸蚀 216．9 54．3 273．4 55．2 306．2 55．9