电子技术检测题习题解析.doc

第1章 检测题 （共100分，120分钟） 一、填空题： 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。 2、三极管 N 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区R×1K 档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 绝缘老化不通 。 单极型晶体管 7、稳压管是一种特殊物质制造的 接触型 二极管，工作在特性曲线的 区。 MOS管在不使用时应避免 极悬空，务必将各电极短接。 二、P型半导体中，。 （） （） 用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K。 （） PN结正向偏置时，。 （） 。 （） 晶体管。 （） 二极管工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （） 管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM该管击穿。 （） 双极型管和单极型管。 （） （） 三、选择题： 单极型半导体器件是（ ）。 A、二极管； B、管； C、场效应管P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 稳压二极管的正常工作状态是（ ）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ说明该二极管（ ）。 A、； B、完好状态； C、； D、。 PN结加正向电压时，其正向电流是（ ）。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 测得三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，三极管处（ ）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、击穿区。 （ ）。U（BR）CEO。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 四、题：（每小题分，共分） 某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚12V、管脚3V、管脚3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。半导体和金属导体的导电机理有什么不同？图所示电路中，硅稳压管DZ1的稳定电压为8V，DZ2的稳定电压为6V，正向压降均为0.7V，求各电路的输出电压U0。7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？ 答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。 五、计算分析题：（共17分） 1、图1-31所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。（8分） （1）UCE=3V，IB=60μA，IC=？ （2）IC=4mA，UCE=4V，ICB=？ （3）UCE=3V，IB由40~60μA时，β=？ 解：A区是饱和区，B区是放大区，C区是截止区。 （1）观察图6-25，对应IB=60μA、UCE=3V处，集电极电流IC约为3.5mA； （2）观察图6-25，对应IC=4mA、UCE=4V处，IB约小于80μA和大于70μA； （3）对应ΔIB=20μA、UCE=3V处，ΔIC≈1mA，所以β≈1000/20≈50。 2、已知NPN型三极管的输入—输出特性曲线如图1-32所示，当 （1）UBE=0.7V，UCE=6V，IC=？ （2）IB=50μA，UCE=5V，IC=？ （3）UCE=6V，UBE从0.7V变到0.75V时，求IB和IC的变化量，此时的（9分） 解：（1）由（a）曲线查得UBE=0.7V时，对应IB=30μA，由(b)曲线查得IC≈3.6mA； （2）由（b）曲线可查得此时IC≈5mA； （3）由输入特性曲线可知，UBE从0.7V变到0.75V的过程中，ΔIB≈30μA，由输出特性曲线可知，Δ