半导体照明用红色荧光粉的研究现状（下）.pdfVIP

中 国 照 明 电 器 2011年第 9期 CHINA LIGHT ＆ LIGHTING 半导体照明用红色荧光粉的研究现状 (下) 张瑞西 ’ 钱志萍 王海波 (1．南京工业大学材料化学工程 国家重点实验室，江苏 南京 210009； 2．南京工业大学电光源材料研究所，江苏 南京 210015；3．南京华东电子集团有限公司，江苏 南京 210028) TheResearchProgressofRedPhosphorsforSSL(Ⅱ) ZhangRuixi· QianZhiping WangHaibo (1．StateKeyLaboratoryofMaterials-OrientedChemicalEngineering，Nanjing UniversityofTechnology，JiangsuNanjing 210009； 2．TheResearchInstituteofElectricLightSourceMaterialsofNJUT，JiangsuNanjing 210015； 3．NanjingHuadongElectronicsGroupCo．，Ltd，JiangsuNanjing 210028) (续上期) (4．2K)，其发光光谱变成强度基本相等的505nm和 2．3 碱土金属硅酸盐体系红色荧光粉 520nm两个峰 。同样 由于 Eu 存在两种格位 在氮化物荧光粉价格居高不下的情况下，为了打 的关系 ，激发光的波长对其发射光谱也具有明显的影 破 国外少数企业 的专利壁垒及降低成本，国内外不少 响，见图11。 研究人员将 目光转移到新体系红色荧光粉的开发上 。 目前他们在这方面已经取得了不小的成绩，最具代表 性 的就是以硅酸盐为基质的系列红 一橙色荧光粉。 JeeHee193等人较早地对 Sr2SiO ：Eu“进行 了细 致 的探讨 ，分析 了Eu 在 SrSiO 中的格位与发光性 能的关系。在 SrSiO 晶格 中存在两种 阳离子格位 ： 十配位的sr(I)和九配位的sr(Ⅱ)，其离子半径分 别为 Sr(I)=1．31A和 Sr(Ⅱ)=1．36h。Eu“进入 SrSiO 晶格后 ，分别 占据 了Sr(I)和 Sr(II)格位 ， 且离 子半径变化很小 ，Eu(I)=1．3OA，Eu(Ⅱ)= 波长 (nm) 1．35A。由于离子键的长短不 同，造成了Eu“受到的 图II 800~C-FEu (2．5％)掺杂 的 晶体场影响强度不同，前者离子键稍短 ，受 晶体场效 Sr：SiO 的激发及发射光谱 圳 应影响较强，其发射带位于长波 区(560nm附近)；后 者离子键稍长 ，受晶体场效应影 响稍弱 ，其发射带位 由于纯的 SrSiO 有两种晶体结构，低于85℃时 于短波区(460～500nm)。但是 由于温度的影 响 ，这 为低温型 (p-SrSiO)，属于单斜 晶系，与 13一CaSiO 一 现象在常温时表现为 SrSiO：Eu“发射单一 的黄 结构相同；高于 85℃时，-Sr：SiO 是稳定相 ，属于斜 绿色 光 (A = ～500nm)，Ba2SiO ：0．01Eu¨和 方晶系 ，与BaSiO 结构相同。用部分 Ba取代 sr时， Ca：SiO ：0．01Eu“也存在类似情况。但在低温下 在室温下可得到稳定的d-SrSiO 。如 Ba含量在低 至2．5％时，只存在 0【SrSiO 相。 基金项 目：江苏省 自然科学基金 (SBK2010211