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Soc 电子显微学报JChin.ElectrMicrosc 2004年 419 23(4):419—419 A1。。Fe,Ti:,合金室温解理面的EBSD分析 文九巴1,陈世朴2,戎咏华2 (1河南科技大学材料科学与I程学院,河南洛阳471003 2上海交通大学材料科学与工程学院,上海200030) 许多L1:结构三铝化物的室温断裂研究来看, 数枚试样上标记一系列待测小刻面。将放置调整好 绝大部分是穿晶解理,这种穿晶解理断口是由取向 的试样的基准平面放人装配有OPAL系统的JCXA. 各异的解理刻面所组成。研究这类合金在室温下穿 733X电子探针进行EBSD测定。 晶解理断口的解理刻面晶体学取向对研究合金的脆 2实验结果 性本质具有重要意义,它不仅可将合金的断裂与解 对试样断口中8个解理刻面的晶体学取向测定 理能联系起来,而且有助于分析合金解理裂纹的萌 结果表明,有5个刻面属11lO}型晶面,2个属j100} 生、扩展。本文利用电子背散射衍射(electron back8clitterdiffraction.EBSD)技术对多晶L12结构(1lo)刻面的EBSD图及其菊池极标定图。在所测 ALFe,Ti。合金室温弯曲试样断口解理刻面的晶体 学取向进行测试,并结合解理能的理论计算对其脆 性进行讨论。 FbTi。合金室温解理断口中{110}型解理刻面最多, 1实验材料与测试方法 其次是{100l型晶面和{11l}型晶面。虽然不能说 实验用L1:结构A166Fe。Ti。合金高温均匀退火A166FbTi。合金的解理断裂只发生于这三类晶面,但 后经950℃、40%一50%变形、2h再结晶退火,将合是对于通常发生于低指数晶面的解理断裂来说,可 金加工成3mm×4mm×20ram试样,进行室温三点弯以认为其解理优先发生于1110}型晶面,其次为 曲试验,试样呈解理断裂。对弯曲试样断口的解理 {100}晶面和}111}晶面。利用分子电子理论对该合 面进行晶体学测定。加工数枚基准平面,尺寸为 金几种低指数晶面的解理能计算结果为:{110} 圣20mm×3 mill,上下平面经机械磨光,不平行度小 于0.002mm。将断口试样固定于基准平面,将放置与理论计算结果相吻合。可以认为A166聃Ti。合金 试样的基准平面放入显微硬度计载物台,随机寻找 的解理能低是室温脆性解理断裂的主要原因之一, 解理刻面,当调整焦距能使某解理刻面清晰可辨时, 而其解理优先产生于{110}晶面。 用显微硬度压头作一压痕为记号。用同样的方法在 参考文献略. 图1 AkFblk合金室温断口{110}型刻面的EBSD图(a)及其标定(b)。

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