Al、Au溅射薄膜的剥离技术的研究.pdfVIP

真空科学与技术学报 第25卷增刊 112 OFVACUUMSCIENCEAND 2005年12月 JOURNAL TECHNOLOGY(CHINA) Al、Au溅射薄膜的剥离技术研究 于映¨ 赵晨2罗仲梓3翁心桥3 ，1．福州大学电子科学与应用物理系福州350(D2；2．浙江万里学院计算机与、 、信息学院宁波315011；3．厦门大学萨本栋微机电研究中心厦门360005， onLift-off ofAIandAu ThinFilms Stucly Lithography Sputtered Yu and Chen2，LuoZhongzi3WengXinqi舯3 Yln矿。，Zhao f，1．啦咿咖删of砀黼Scten腿amt恻Physics，FuzhouUnmmay，Fud_lou，3501)02，Ch／．,na；、 2．Instaute I ofComputerand删抵乃Instaut涫ofZhem赠Wanh，Ch／,na； I k3．Sa Center，Xmmen Pen-dong死b田．0酣缸阳竹把d加仉∞以|s蠡e掰ResearchUnwersay，Xmmen，360005，C／una) Absh翟ctChlorobenzeneu删∞删∞ofA1andAu wltllItsthckness 0．2to2．0pm， films。grownbymag]lcCgronsputtenng varying的n was inthefilmlift-off Influenceofthefilm eondlbormandtheChlorobezeneⅡnn×炯加onlift-off W818 developed hthography gowth hthography stued80 fabricatedlift-off on20 llllckA1andAu tanⅧdeglOOV鹤were by hthographytan films，respeetlvely． finn immersion KeywordsSputtenng 6dms，Lift·off．，Chlorobenzene 摘要本文采用氯苯浸泡法对(0．2—2．0)阻的AI、Au溅射薄膜进行剥离，分析了光刻胶厚度和薄膜厚度与剥离图形的 关系，对剥离过程中氯苯浸泡工艺以及溅射工艺对剥离图形的影响进行了研究，并在2．0tan厚的^l和Au溅射薄膜上剥离出 8．0／an的缝隙。 关键词溅射薄膜剥离氯苯浸泡法 72 中图分类号：TQ320 文献标识码：A 文章编号：1672—7126(2005)增一112-03 m、Au溅射薄膜具有良好的导电性、附着性、致 度的Au薄膜剥离的实验；闫桂珍[3]等采用苯处理 密性和耐磨损性能，常用于微电子工艺中的电极以 和烘烤工艺使光刻胶形成易剥离的形状，实现自对 及MEMS器件中的悬梁、电极等部件。对于MEMS 准腐蚀与等平面的金属剥离。 器件而言，用于悬梁、波导和电极等方面的薄膜通常 本文采用氯苯浸泡法对(0．2～2．0)／an厚的 需要一定的厚度，当薄膜较厚时，图形的加工较为困