ZnO薄膜PLD过程的机理和实验研究.pdfVIP

ZnO薄膜PLD过程的机理及实验研究 柯强 吕珂叶志清罗海梅王一凡 (江两师范大学物理与通信电子学院，南昌，330022) (江西省光电子与通信重点实验室，南昌，330022) 摘 原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了不同衬底温度所生长的ZnO薄膜结构特征和性能。研究表明： 提高。 关键词：ZnO薄膜；PLD；XRD；AFM 1引言 Laser 脉冲激光沉积(Pulsed 脉冲宽度为几个到几十个纳秒、瞬时功率可达Gw级的准分子激光器出现后，为它沉积高质量的薄膜铺平 长半导体材料的研究热点，因此，利用PLD技术制备高质量的Zn0薄膜已成为近几年研究短波长光电子 材料和器件的热点课题。 与GaN相比，ZnO不但具有相近的品格特性和电学特性，而且还具有更高的熔点和激子束缚能(室温 下为60mev)以及良好的机电耦合性。此外，ZnO还具有成本低，外延生长温度低的特点，对环境无毒 无害，对衬底没有苛刻的要求，可用不同技术获得高质量薄膜，ZnO‘可用丁超声换能器、高频滤波器、 高速光开关及微机械管方面。ZnO材料在0．4～2um波长范围内透明，且具有压电、光电等效应，因而 提供了电学，光学及声学器件，如光源、探测器、调制器、光波导、滤波器及其相关电路等进行单片集 成的可能性12,31。 (AFM)等分析手段，研究了不同衬底温度对所生长= ZnO薄膜的结构和光学性能的影响。 2PLD原理 PLD的物理背景是激光蒸发现象。图1为脉冲激 光沉积薄膜的原理图。 PLD成膜过程可概括为两个阶段。(1)激光束与 靶材表面相互作用产生高温等离子体；(2)高温等离 子体绝热膨胀喷射到衬底上凝结成薄膜。准分子脉冲 激光通过透镜聚焦成能量密度约为1～10J／cm2的光 斑，入射到一定组分的靶材料表面上，由于光子与靶 中载流子相互碰撞引起热效应的快速加热作用，使靶 面局部温度可以在很短时间内迅速上升到沸点以上， 大约2000～3200K¨’”，这段时间比脉冲持续时间短的 observationl囊scrbeam port 多， 图1脉冲激光沉积装置原理图 故可认为在激光脉冲持续期间，对靶材晶格的加热效应是无时间滞后的，若靶材表面升温速度太慢，则 会由于向靶内层的热传导而无法蒸发，维持靶面蒸发的最小激光能量密度称为蒸发阈值。当靶局部表面 温度上升到沸点以上时，就会有大量高能粒子从靶表面喷出，包括中性原子、电子和电离离子，并迸一 步吸收能量变为等离子体，以极快速度沿靶面法线方向向前运动，形成火焰状的等离子体云。 当入射激光能量密度超过蒸发阈能不很大，被蒸发的靶面温度低于原子发生显著的离化和激发所需 要的温度时，蒸发气体对入射激光实际上近乎透明，基本不吸收能量，其行为相当于一个绝热膨胀过程； 当入射激光能量密度远大于蒸发阂能时，蒸发温度很高，足以使更多的原子被激发和电离，因为等离子 体的固有频率缈。满足关系 缈，oc”，l，2 其中以。为等离子体密度。故CO。增人，进一步吸收能量，导致等离子体进一步升温，但等离子体吸收能 量越多，入射到靶上的能量越少，使得蒸发速度降低，从而达到一动态平衡。 l 等离子体的吸收系数a。与其密度门。的平方成正比，即 2 aPoC聆，， 这说明等离子体对入射激光的吸收仅仅发生在非常靠近靶表面的区域内，因为只有靶表面附近的等 离子体才具有高密度。等离子体吸收能量后，使更多的蒸发原子处于激发态和离化态，并产生类似于爆 炸式的冲击波向前膨胀，速度可达101～106cm／smI，其密度随离开靶面距离的增加而急剧下降，其外围 部分对入射激光来说近乎透明。 脉冲停止后，蒸发粒子的数目不再增加，也不可能继续吸收能量，囚而，蒸发粒子的运动可以看成 是等离子体的绝热膨胀过程。由于等离子体只沿靶面的法线方向运动，基本