LDMOS在正常开关工作下的瞬态热效应.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２７ １１ 犞狅犾．２７ 犖狅．１１ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００６ １１ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犖狅狏．２００６ 犔犇犕犗犛在正常开关工作下的瞬态热效应  李梅芝 郭 超 陈星弼 　 　 　 （电子科技大学微电子与固体电子学院，成都 ６１００５４） 　 摘要：利用热等效电路对外加连续脉冲产生的热效应中晶格温度的上升及下降作了研究并与实验进行了比较 结 ． 果表明，若高频脉冲的延迟时间大于降温驰豫时间，则器件处于热安全工作区 对热阻为 ／ ，热容为 · ． ３５犓 犠 ５狊 μ ／ 的 ，如脉冲频率小于 且占空比为 ，或脉冲频率为 且占空比小于 ，则该器件工 犠 犓 犔犇犕犗犛 ７１４犽犎狕 ０５ １０犽犎狕 ０３ 作在热安全区 文中还给出了功率器件热安全工作区的判据 ． ． 关键词：热路模型；公式；降温；热缓慢击穿 ： 犈犈犃犆犆 ２５６０犚 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖３８６ 犃 ０２５３４１７７２００６１１１９８９０５ 　　　 　　　 热缓慢击穿现象给出了一个解释，并对比实验结 ［，］ ６７ １ 前言 果 证明其合理性． 　 近几十年来，随着集成电路的快速发展，所有的 ２ 犔犇犕犗犛的结构及其等效热路 　 电路都依赖于一个高效的电源，因此开关电源成为 目前常用的电源 开关电源朝高频化发展，开关速度 图 （）所示器件是普通 中的 ， ． １犪 犛犘犐犆 犔犇犕犗犛 提高很快，带来体积小和重量轻等优点 在开关运用 其漂移区由 构成，表面漏极 通过重掺杂