紫外辐照增强ZnS纳米晶发光性质地研究.pdfVIP

186 紫外辐照增强ZnS纳米晶发光性质的研究 一…—L一………～一…一……～一一…一…～F+一-…‘。__一…一 ～…一～～………一一……-一’～‘…—…，一…一～一…一 紫外辐照增强ZnS纳米晶发光性质的研究 彭玲玲。韩涛，曹仕秀，雪宇 (重庆文理学院材料交叉学科研究中心重庆市高校微纳米材料工程与技术重点实验室，重庆402160) [摘要]采用化学沉淀法合成了规则的球状ZnS纳米晶，在zn原料过量不同的条件下，得到的ZnS纳米晶发光强度不同。利 用吸收光谱、发射光谱和透射电子显微镜对其光学特性和形貌进行了研究，发现ZnS纳米晶在424nm处有一个与填隙原子或空 am左 位态原子等缺陷态有关的发射，归因于电子由浅施主能级向zn空位形成的深能级受主跃迁产生。同时还观察到了在480 右的伴峰出现，归因于ZnS表面s悬空键的发射。最后通过紫外辐照，使得纳米晶的表面生成了一层包覆体，降低了表面缺陷，增 强了ZnS纳米晶的本征发光，发光强度随着辐照时间增加而增强，最后由于纳米晶表面不再变化而趋于稳定。 [关键词]ZnS纳米晶；缺陷态；紫外辐照 [中图分类号]0614．24+1；0613．51；0474 [文献标识码]A 0前言 度分布、合适表面形貌的ZnS纳米粒子来进行研究其发光机理 和缺陷态具有重大意义。本工作采用水溶液法制备了ZnS纳 ZnS是Ⅱ一Ⅵ组半导体化合物，在室温下的禁带宽度为 米粒子，通过改变S／Zn比例来得到不同形貌和发光性质的 3．67 eV。在一273 oC时的有效带隙为325am，室温下(25℃) ZnS纳米晶，研究了ZnS纳米粒子的缺陷态、空位、吸附和填隙 其有效带隙为339nm，可以发出黄绿2种基色光，是传统阴极 原子等影响发光性质的因素，并引出了ZnS内部可能存在的受 射线管发光材料的重要组成部分，由于上述优良的电光特性和 限态和各类缺陷态的发光过程。此外，为了减少纳米ZnS的表 广泛的应用前景，从1968年法国化学家Sidot发现ZnS荧光材 面缺陷，采用紫外光辐照的方法使得ZnS表面生成一层ZnO 料以来，ZnS材料的研究一直受到广大科研工作者的极大关 注¨’2o。当ZnS纳米粒子半径小于其波尔半径时，表现出量子 表面缺陷提供了一种新的方法。 限域效应，产生吸收光谱蓝移和高效荧光特性，广泛应用于光 电传感器口J、生物标记¨j、发光二极管哺’6]。尤其是最近十年1 试验 来在半导体纳米晶中检测到的多光子响应现象更是引起了人 采用水浴反应法合成ZnS纳米晶。过程如下：首先取一定 们在多光子荧光成像方面关注oL8|，对于ZnS纳米材料在多光 子响应即非线性光学材料方面的研究也有一定的进展一一1。。 的水醇溶液，在2种溶液中加入一定量的十二烷基磺酸钠或十 国内外众多科研小组已经通过不同的合成方法成功合成出纳 二烷基硫酸钠