集成光学的研究进展（特邀）.pdfVIP

第五届全国光子学大会会议论文集 第三分册：集成光学 集 成 光 学 研 究 进 展 * 王明华 江晓清 杨建义 浙江大学 信息学院 浙江省杭州市玉泉 310027 集成光学是光子学的一个重要学科分支。自20 世纪 70 年代首次提出这一概念以来，一直受到 各国科学、技术工作者的广泛重视。集成光学的理论基础是导波光学，集成光学从它的起步开始， 就以光的信息传输系统与信息处理系统为重要应用目标，因而它是一门科学研究与技术开发相辅相 成的高技术。系统应用对集成光学器件的要求低功耗、低成本、适应性强、适合批量生产，具有一 定的集成度。基于以上要求，集成光学器件与微电子器件不同，集成光学器件所用的材料种类，技 术措施乃至所利用的物理效应都是多样化的，相对于电子的控制，控制光波的效应都比较弱，因而 器件尺寸都较大，规模化集成受限制。另外集成光波导器件尺寸都在微米量级，对封装要求高从而 限制了量产和成本的降低。 我们课题组自 20 世纪 80 年代初开始，开始从事 GaAs 为主的化合物半导体材料光波导器件研 究工作，随后对于不同材料和多种集成光学器件进行了研究，在国内无源集成光学器件方面形成自 己的特色，现报告如下： 一、 光调制器研究 高速光调制器是大容量，长距离光纤通信系统中的重要部件。目前LiNbO 材料行波高速光调制 3 器技术已基本成熟，并占领主要市场。GaAs 材料光波导器件具有抗干扰能力强。制造工艺稳定可靠， 因而具有独特优点，早期发展比较慢的原因是材料生长的限制，目前 MOCVD 于 MBE 技术已经能 满足薄膜材料和量子阱材料生长要求。光调制器的研究朝着高速、大带宽、低驱动和超线性特性的 方向发展。 （1）为实现超高速行波光调制器，必须满足调制微波与光波之间的速度匹配，同时尽可能降低微 ＋ 波的传输损耗。我们采用具有悬浮n 薄层（厚度约0.2-0.5um）的新结构，调制微波与光波之间的速 度，实现Vπ为7-9V，3dB 带宽达到30GHz 以上的对称行波电极结构的光调制器[1] （2）相位调制器[2] 相位调制器是光纤陀螺传感系统中的关键器件，作为光纤陀螺中的光控元件，目前应用最多的是 铌酸锂双相位调制器，而 GaAs 材料双相位集成光器件为脊型光波导，工艺简单，器件尺寸小，特 别是无直流漂移现象，温度系数低，抗干扰能力强等优点，各有不同的用途。利用单异质结 GaAs 基材料研制成功的器件，偏振控制可在40dB，半波电压为9V，工作频率在 1GHz。 （3）利用量子限制斯塔克效应，可以获得大带宽、高效的电吸收型高速光调制器。我们采用非对 称耦合多量子阱材料，利用非对称耦合多量子阱结构实现了对在波函数预分布，达到增强折射率变 化的目的。研制成GaAs 基多量子阱材料M-Z 干涉型光调制器，3dB 带宽初测达20GHz 以上[3]。 （4）可控圆偏振光是很有用途的光源，如在手性物质检测的方面的应用。集成化圆偏振光调制器 是一种新型光波导器件，我们采用电光聚合物材料成功研制出了波导型圆偏振光调制器[4，5]，该光 调制器由三部分组成，即TE－TM 模均衡、TE－TM 模调制和TE－TM 模的匹配，实验研究表明， 输出光波可以获得良好的左旋或右旋的圆偏振光。 （5）采用谐振环补偿技术的高线性MZ 光调制器[6]。 二、光开关研究 光开关是光传输网络中的关键器件之一，目前微机械、热光等较低速的光开关已走向市场，而 4 第五届全国光子学大会会议论文集 第三分册：集成光学 要实现全光通信中光交换要求，光开关单元的速度（要求ns 量级）和性能要尽可能高，并能够构成 一定规模的阵列且功耗低。 （1）GaAs，LiNbO3 材料定向耦合与M-Z 干涉型光开关。 采用GaAs、LiNbO3 材料的电光效应研制的波导型器件的开关速度都可达到快于ns。但由于物 理效应的限制，控制区波导比较长器件尺寸减不下来，并同偏振相关，工艺难度相对较大。我们曾 采用非对称X 结结构，实现了MZ 干涉型高速光开关[7]。 （2）全内反射型光