新型高k栅介质HfSiON薄膜的制备及性能研究.pdfVIP

第 37卷 第 11期 稀有金属材料与工程 Vo1．37， No．11 2008年 l1月 RAREMETALMATERIALSAND ENGINEERING November2008 新型高 栅介质HfSiON薄膜的制备及性能研究 冯丽萍，刘正堂，田 浩 (西北工业大学 凝 固技术国家重点实验室，陕西 西安 710072) 摘 要：为了替代传统的SiO2栅介质，利用射频反应溅射法在 si衬底上制备了新型HfSiON薄膜。研究了HfSiON薄 膜 的成分、结构和介 电性能。由XRD 图谱可知，HfSiON薄膜经 900℃高温退火处理后仍为非晶态，显示 出良好的热 稳定性 。MOS电容的高频 C-V曲线测量显示，HfSiON薄膜具有较好的介电特性，其介电常数可达到 18．9，电容等效 氧化层厚度为4．5am。 测量结果表明，HfSiON薄膜的漏 电流密度很低，在外加偏压()为±1．5v处的漏 电流密度 分别为 3．5×10A／cm (+1．5V)和 1．5x10A／cm (一1．5V)。研究表明，HfSiON薄膜将会是一种很有希望取代 SiO2的新型 高 k栅介质材料。 关键词：高k栅介质；HfsiON薄膜；射频反应溅射 中图法分类号：TN386 文献标识码 ：A 文章编号：1002．185x(2oo8)11．2008．04 随着超大规模集成电路技术的不断发展，作为其 的。溅射靶是纯度优于 99．95％的HfD2陶瓷靶，Si片 基础器件 的MOS晶体管尺寸不断缩小，当SiO2栅介 切成 1．5mm×1．5mm 的小片均匀放置在靶面上组成 质的厚度减小到纳米量级时，通过 SiO2的漏电流随厚 复合靶，掺杂浓度按 si片与 HfD2靶面积比计算。溅 度减小成指数增长，这样 巨大的漏电流不仅严重影响 射气体为N2与Ar的混合气体(N2和Ar气的纯度均为 到器件性能，而且最终导致 SiO2不能起到绝缘作用 】【】。 99．99％)。靶与衬底之间的距离为 60mm，衬底温度为 使用高介电常数(高 材料替代 SiO2是 目前最有希望 室温 ，溅射过程中背景真空度优于 1X10一Pa。 解决此问题的途径。由于高k材料的使用，在保持相 制备样品所用的衬底是P型(1111取向的si片，电 同电容密度的同时栅介质可以有 比较大的物理厚度， 阻率为 60Qe·m。Si片的清洗方法为：先用 5％的HF 从而避免了在超薄 SiO2栅介质中隧穿导致 的漏 电流 酸浸泡 1min，然后分别用去离子水、丙酮、乙醇超 问题 。 声波清洗各 10min，烘干后迅速装入真空室。在制备 在选择合适的材料来代替 SiO2的探索中，已经 MOS电容样品时，先用真空蒸发镀膜在试样的背面淀 有很多材料被尝试过。其中，由于HID2材料的介电常 积 Al下电极，然后利用离子镀在栅介质层上形成金属 数(25)和禁带宽度(5．68eV)相对较高，基本符合栅介质 Au上电极 ，最终形成 Al／Si／HfsiON／Au的MOS电容 材料的要求而引起业界极大的关注[ 。近年的研究表 结构。 明，虽然 HDI2材料有许多 SiO2无法 比拟的优点，但 利用 PHI．5400型 XPS表征 HfSiON薄膜的成分 HDI2的晶化温度却相对较低 6【(500～600℃)，当薄膜 及化学配 比。HfSiON薄膜的结构采用X’PertProMPD 从原来的非晶态转为多晶后，有使漏电流增加的缺点。 型掠入射 x射线衍射仪测试。利用 JEOLJSM．6700F 另外，氧在HDI2中扩散很快，在淀积和后续退火工艺 型高分辨率扫描 电子显微镜观察了薄膜断面形貌。实 中在 HDI2和 Si衬底之间易形成界面过渡层 SiO2，从