DDR2性能分析与在消费电子产品中的应用展望.docVIP

DDR2性能分析及在消費電子產品中的應用展望 DDR2 SDRAM一出現就迅速得到服務器、工作站和個人計算機OEM廠商的廣泛支持，DDR2存儲器具有高數據速率、低功耗以及高密度特點，這些特點也適合當前數字消費電子產品的應用需求，如機頂盒和數碼相機等。本文對比分析了DDR2相對傳統存儲器的性能特點，並介紹了DDR2在數字消費電子產品上的應用機會。 DRAM市場的特點是技術不斷提高而需求也持續增長，DDR2 SDRAM一出現就迅速得到服務器、工作站和個人計算機OEM廠商的廣泛支持。對這些應用來說，DDR2 SDRAM是一個理所當然的選擇，因為它的速度和帶寬比DDR SDRAM高很多，DDR2的1.8V工作電壓使得它可以比其上一代產品功耗整整低50%。 但是，DDR2的優勢決不僅局限於這些應用，DDR2的高密度、高功效和改善的熱特性為台式電腦、筆記本電腦和小外形消費電子產品帶來了巨大優勢。這些優勢的利用將依賴於封裝和模塊技術的不斷發展，特別是在消費電子產品領域。這個新興的市場代表著DRAM工業一個新的前沿應用，它將為那些願意接受挑戰以滿足新要求的商家帶來大量機會。 加速向DDR2轉換 服務器、工作站和個人計算機等傳統DRAM市場正在快速向DDR2轉換。英特爾公司已經宣佈其未來的所有芯片組將支持DDR2，其它的主要芯片組供應商看起來也將步英特爾的後塵。今春英特爾開發商論壇和存儲器生產商論壇所開展的活動使那些希望向DDR2加速轉變的人受到鼓舞，DRAM市場上的大部分主要供應商目前提供經過英特爾驗證的DDR2產品。半導體生產設備從8英吋到12英吋晶圓工藝的轉變有助於提高產品良率，進而提高DRAM的產量。對於1Gb DRAM器件來說，在單一芯片上既支持DDR1又支持DDR2架構的電路技術很關鍵，它使得向DDR2的轉換更加容易。 DDR2 SDRAM的優勢 DDR2 SDRAM目前的數據傳輸速率最高為533Mbps，這是DDR266的兩倍。除了在原始帶寬方面的一些提高外，它還提高了系統的性能和功效，並方便系統設計。這些改進可以分成以下四大類： 4位預取架構：採用DDR2的4位預取(Prefetch)架構，DDR2 SDRAM作為外部總線每個時鐘從存儲器單元陣列讀/寫的數據量是原來的四倍，而且其工作頻率比內部總線頻率快四倍。DDR2 SDRAM、DDR SDRAM 和SDR SDRAM與工作頻率為100MHz的DRAM之間的比較結果如下圖所示。 片上端接：DDR2的其它特性為主板設計工程師帶來了好處，例如利用DDR2的片上端接(ODT)來簡化DQ總線設計。在DDR2 SDRAM中，端接寄存器(termination register)就實現在該DRAM芯片之中，而不是安裝在主板上(見下圖)。DRAM控制器可以為每個信號設定端接寄存器的開或關，這些信號包括數據I/O 、差分數據選通信號和寫數據屏蔽。利用ODT就不需要Vtt發生器或Rtt電阻，而且能降低多重反射，提高信號完整性並增加時序裕量。 片外驅動器(OCD)校準：OCD校準改進了DDR2 SDRAM的信號完整性。其做法是：設定該I/O驅動器的電阻來調整該電壓，補償上拉/下拉電阻；通過將DQ-DQS偏移降到最低來改進信號完整性；控制過沖和下衝來改進信號質量；通過I/O驅動器電壓校準可以修正不同DRAM供應商之間的工藝差異。 前置CAS和附加延遲：在一個前置CAS操作中，一個CAS信號(讀/寫命令)可以在RAS信號輸入之後成為下一個時鐘的輸入。該CAS指令可以在DRAM一側保持，並在附加的延遲(0、1、2、3和4)之後執行。這樣簡化了控制器設計，因為它可以避免指令總線上的衝突。而且，採用一個簡單的指令序列還可以提高指令和數據總線的效率。由於在讀/寫指令之間不存在「氣泡」(bubble)或空隙週期，因此實際的存儲器帶寬也得到提高。最後一點，DDR2採用細間距球柵陣列(FBGA)封裝可以減小系統尺寸，並提高信號完整性。這種技術的一個變體是新型的堆疊式FBGA(sFBGA)，它增加了各模塊之間的空氣流動空間從而提高了熱性能和可靠性。這類符合行業標準、兼容JEDEC的創新是優化DDR2優勢的關鍵。 存儲器模塊 對那些已經充分準備轉向DDR2的開發商來說，用於服務器平台的1GB和512MB DDR2帶寄存器的雙列直插式內存模塊(registered DIMM)已經可以批量提供，2GB的DDR2 帶寄存器的DIMM已可以提供樣品。這些2GB的模塊將使服務器產品的密度有很大提高，同時可以實現高達每秒4.3GB的數據傳輸率。 全緩衝的DIMM(FB DIMM)也在開發之中，它可以適應新的更高速總線技術要求，如PCI Express。FB DIMM對服務器市場將非常重要，因為服務器需要高帶寬