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8×8位双端口的SDRAM的设计【荐】.pdf

× 位双端口的 的设计 8 8 SDRAM 摘要 本文介绍了一种采用数组进行8×8位双端口的SDRAM的设计方法,主要 阐述如何使用新兴的EDA器件取代传统的电子设计方法,利用FPGA 的可编程 性,简洁而又多变的设计方法,缩短了研发周期,同时 SDRAM体积更小功能 更强大。本设计实现了SDRAM所需的一些基本功能,同时考虑到SDRAM在 实际应用中的一些特殊性,更注重了把一些新的思路加入到设计中。主要包括采 用了FPGA芯片,使用VHDL语言进行编程,使其具有了更强的移植性,更加 [1] 利于产品升级 。 关键词:VHDL;双端口SDRAM;QuartusⅡ; 1 Abstract This article describes the use of the array for a 8x8-bit dual-port SDRAM of the design method, mainly on how to use the emerging EDA electronic device designed to replace conventional methods, the use of programmable CPLD, simple and changeable design methodology, shorten the development cycle, while SDRAM smaller and more powerful. The design of the SDRAM to achieve some of the basic functions required, takingintoaccountthepractical applicationofSDRAMinsome specificity,but also focuson somenew ideas intothedesign. Including the use of a CPLD chip, the use of VHDL programming language so that it will have a greater portability, and more conducive to product upgrades.文档由暴风影音2014下载 / 风行播放器/ 整理 Keywords:VHDL, Dual-port sdram,Quartus Ⅱ 2 1 绪论 人类社会已经进入信息化时代,信息社会的发展离不开电子产品的进步。现 代电子产品在性能提高、复杂度降低的同时,价格却一直呈下降趋势,而且产品 更新换代的步伐也越来越快,实现这种进步的主要原因就是生产制造技术和电子 设计技术的发展。前者以微细加工技术为代表,目前已进展到深亚微米阶段,可 以在几平方厘米的芯片上集成数万个晶体管;后者的核心就是EDA技术。没有 EDA技术的支持,想要完成超大规模集成电路的设计制造是不可想象的,反过 来,生产制造技术的不断进步又必须对EDA技术提出新要求。EDA代表了当今 电子设计技术的最新发展方向,它的基本特征是:设计人员按照“自顶向下”的 设计方法,对整个系统进行方案设计和功能划分,系统的关键电路用一片或几片 专用集成电路 (ASIC)实现,然后采用硬件描述语言 (VHDL)完成系统行为级 设计,最后通过综合器和适配器生成最终的目标器件。 可编程逻辑器件自20世纪70年代以来,经历了PAL、GAL、CPLD、FPGA 几个发展阶段,其中CPLD、FPGA属高密度可编程逻辑器件,目前集成度以高 达200万门/片,它将掩膜ASIC集成度高的优点和可编程逻辑器件设计生产方便 的特点结合在一起,特别适合于样品研制和小批量产品开发,使产品能以最快的 速度上市,而当市场扩大时,它可以和容易地转由ASIC实现,因此开发风险也 大为降低。CPLD/FPGA器件已成为现代高层次电子设计方法的实现载体。 VHDL是一种全方位的硬件描述语言,包括系统行为级、寄存

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