超细晶硬质合金中VCCr3C2对晶粒长大的抑制作用及机理研究.pdfVIP

第36卷 第lO期 稀有金属材料与工程 、，01．36．NO．10 2007年 RARE AND 2007 10月 METAL^，队TER队LSENGINEERING October 超细晶硬质合金中VC／Cr3C2对晶粒长大 的抑制作用及机理研究 李 宁1，邱友绪1，张伟1，文玉华1，张勇2，周永贵2 (1．四川大学先进材料成型及模具技术四川省重点实验室，四川成都610065) (2．自贡硬质合金有限责任公司，四川自贡643011) 摘 合金烧结过程中晶粒的连续长大，合金平均晶粒尺寸为0．5pm，具有较高TRs(横向断裂强度TransverseRupture 素偏聚和第二相析出，说明抑制机理在于抑制剂元素溶入粘结相co后，显著降低w，C在co中的溶解度，使液相烧 结阶段wc晶粒的溶解．析出过程受到阻碍，从而抑制液相烧结阶段的晶粒连续长大。 关键词：Vc／cr3c2；超细晶；硬质合金；抑制剂 中图法分类号：TGl35+．5 文献标识码：A 文章编号：l002．185x(2007)10—1763．04 结构时存在限制。因此，针对溶解．析出阶段超细晶硬 1 前 言 质合金抑制剂机理的研究仍存在着激烈的争论。总的 wC晶粒长大一直是超细晶WC．Co合金研制和生来说，抑制机理可以归纳为3种【5】：(1)“吸附说”认 产的瓶颈因素。其原因在于wC晶粒越小，晶界密度 为抑制剂吸附在WC颗粒表面，降低了WC的表面 就越高，系统自由能也就越高，wC晶粒长大的趋势 能，从而降低wC在液相中的溶解度，减缓wC溶解 就越明显。通过添加抑制剂，可以有效的解决该问题。 ．析出速度，保证烧结时wC品粒连续长大得到更加有 有关晶粒长大抑制剂的早期研究很多，主要集中在晶 效的控制：(2)“溶解说”认为抑制剂溶解在液相Co 粒长大抑制剂的种类、加入量、添加方式，以及晶粒 中，明显降低w和C在Co中的溶解度，减缓wC通 长大抑制剂对超细硬质合金组织和性能的影响。这些 过液相再结晶长大，降低wC晶粒长大速度；(3)三 研究发现，过渡族元素碳化物如VC，Cr3C2，NbC，是抑制剂沿WC／wc界面偏析，阻碍wC界面的迁 TaC，TiC，ZrC等是应用最普遍、效果最好的一类抑移，防止WC颗粒发生聚集长大。 制剂。 本实验运用带能谱的HREM设备深入分析了复 随着对晶粒长大抑制剂的深入研究，对晶粒长大 合添加抑制剂VC／cr3C2对合金组织的影响。 抑制剂抑制机理的研究逐渐成为热点。涉及溶解一析出 2实验方法 阶段的抑制机理，国内外学者已经开展了一些工作【卜51。 LaypJ运用高分辨电子显微镜(HREM)对几十纳米大 小的区域分析发现抑制剂元素钒优先在(0001)面上 试样为未添加抑制剂的wC．10co合金。合金原材料 沉淀析出，从而抑制该晶面方向上的生长，因此VC 物理参数如表1。 对晶粒长大的抑制作用与钒沿Co界面的偏析有关。 将原材料按配方配料，湿磨48h，卸料，压制成 mm×6．5mm×5．25 型(试样尺寸20 mm)然后经过 Delanoef4】等人发现添加Cr3C2抑制剂的合金中，Cr主 要溶解于Co粘结相中。由于高分辨电镜的成像区域 真空烧结，烧结工