一、解释下列概念：（20分）.doc

一、解释下列概念：（20分） 1、霍尔效应：2、共有化运动 3、杂质补偿 4、肖特基势垒 非平衡载流子寿命 二、简述硅和砷化镓能带结构的异同。（10分） 三、简述产生半导体激光的基本条件。（10分） 四、简述半导体光吸收的主要物理过程，并在能带示意图上定性表示之。（10分） 五、试述什么是简并、非简并半导体；给出非简并、弱简并及简并半导体的区分标准，并说明其含义。（15分） 六、请解释迁移率概念，并说明对于半导体硅而言影响其迁移率的主要因素。在半导体硅材料中掺入施主杂质浓度，受主杂质浓度；设室温下本征硅材料的电阻率，假设电子和空穴的迁移率分别为( (p = 500cm2/(V.S)，求掺杂样品的电导率。的n型单晶硅片金属硅的电子亲和能，，金属的功函数 第 2 页 490 华南理工大学 2006年攻读硕士学位研究生入学考试试卷 （试卷上做答无效，请在答题纸上做答，试后本卷必须与答题纸一同交回） 科目名称：半导体物理微电子学与固体电子学 第 1 页