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第四章微波有源电路 微波放大器 微波混频器与倍频器微波混频器与倍频器 微波振荡器 微波调制器与控制电路微波调制器与控制电路 微波前端 微波电路微波电路CAD 微波电路测量 微波放大器 3 根据制造工艺，微波有源电路可以分为： 印刷电路印刷电路 （（PCB)PCB) 元器件直接焊接到印刷板上，印刷版作为连线和支撑媒质 成本低，频率低，3GHz以下 混合微波集成电路混合微波集成电路((HMIC)) 由分布参数电路元件和 集总参数电路元件混合集总参数电路元件混合 而成。混合MIC电路尺 寸较寸较PCBPCB小小 ，，可工作至可工作至 毫米波频段。 形式灵活 构建微波系统 单片微波集成电路（MMIC) 所有有源和无源电路元件及其互连是在所有有源和无源电路元件及其互连是在一块半导体绝缘基片块半导体绝缘基片 上形成的。目前生产的MMIC多数工作于0.5~100GHz的频 段段。。单片集成技术特别适用毫米波应用单片集成技术特别适用毫米波应用。。MMICMMIC的优点是成的优点是成 本低、尺寸小、可靠性高、可批量生产。 晶体管放大器是最常用的微波有源电路之一，晶体管放大器 把直流能量转换为射频能量，从而实现射频信号的放大。 晶体管放大器由晶体管、匹配电路和偏置电路三部分组成。 这也构成了放大器设计的三个方面这也构成了放大器设计的三个方面。 常用的微波晶体管主要为两类： 结型晶体管； 场效应管。 材料主要是硅(Si)、砷化镓(GaAs)、铟磷(InP)、硅锗（SiGe） 结型晶体管 双极晶体管双极晶体管 （（BJT)BJT) 电流驱动器件 异质结双极晶体管（HBJT) 共发射极放大器 硅结型晶体管成本低，工作频率较高，高功率容量 相对低的噪声特性 BJT：1/f噪声低 特别适合用于设计低相位噪声的压控振荡器 场效应晶体管(FETs) 金属半导体金属半导体FETMESFETFET MESFET 电压控制器件电压控制器件 高电子迁移率晶体管HEMT 单极性器件 假晶态假晶态HEMT(PHEMT)HEMT(PHEMT) P型沟道FET 金属氧化物半导体FET MOSFET 金属绝缘物半导体金属绝缘物半导体FET MISFET NN型沟道型沟道FETFET GaAsGaAs MESFETMESFET、GaAsGaAs HEMTHEMT为目前最成熟的半导体工艺为目前最成熟的半导体工艺 有源晶体管 更高的工作频率、更低的噪声系数 接近接近100GHz100GHz 低噪声放大器、中等功率放大器、高频率放大器 材料 工艺 器件 电路 G