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第19卷 第4期 光 学 学 报 V o l. 19, N o. 4
1999年4月 A CTA O P T ICA S IN ICA A p r il, 1999
氨处理溶胶凝胶 SnO 2 薄膜的光学性质
一
先
刘晓林 梁培辉 张伟清 顾铮 李毛和
( 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 20 1800)
( ) (
摘 要 采用溶胶凝胶 法制备 薄膜, 通过对薄膜的不同处理方式 热处理和氨处
so l gel SnO 2
)
理 所获得的SnO 2 薄膜的比较, 研究了氨处理 SnO 2 薄膜的光学性质。实验结果表明氨处理溶胶凝
胶 SnO 2 薄膜不仅具有良好的增透特性, 同时也具有较好的机械强度和电学性能。
关键词 SnO 2 薄膜, 溶胶凝胶工艺, 氨处理, 光学性质。
1 引 言
二氧化锡薄膜是一种在光电子器件、微电子、和太阳能电池的光热转换器等领域已得到
[ 1 ] [2 ]
广泛应用的半导体薄膜材料, 其制备方法主要有: 磁控溅射 、喷涂热分解 、化学气相沉积
(CV D ) [3 ] 和溶胶凝胶[4, 5 ] 等。各种制备方法对薄膜的性质影响较大, 由于溶胶凝胶方法制备
薄膜具有其独特的优点, 如合成温度低、易于精确地控制掺杂组分、工艺简单、所需设备便
宜, 因而 目前已得到广泛的使用, 而且溶胶凝胶制备的SnO 2 薄膜具有多孔结构, 因而薄膜
提供了较大的比表面积, 此种结构有利于薄膜在气敏器件上的应用。一般采用溶胶凝胶法制
备 SnO 2 薄膜主要以锡的烷氧基化合物为起始原料, 但是用有机金属化合物为起始原料来制
备, 由于在热处理后有碳残留在材料内, 引起所得薄膜的比电阻高, 影响它作为气敏半导体
( ) [ 6 ]
材料的使用。同样, 由于较高的热处理温度, 所获得膜层的折射率较高 约2. 0 , 这在作为
( )
太阳能电池中的增透膜时, 难以与基底的硅半导体材料匹配 其折射率约为3. 4 , 通常只得
[7 ]
在其上再沉积一层低折射率的氧化物薄膜, 以达到较好的增透效果 。再者, 作为透明导电
的 SnO 2 薄膜, 较高的热处理温度也容易引起玻璃衬底中碱金属离子的扩
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