高效薄膜硅%2f晶体硅异质结太阳电池现状及性能影响因素分析.pdfVIP

第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（主题：晶体硅材料及电池） 高效薄膜硅高效薄膜硅/ 晶体硅异质结太阳电池现状及性能影响因素分析晶体硅异质结太阳电池现状及性能影响因素分析 高效薄膜硅高效薄膜硅 晶体硅异质结太阳电池现状及性能影响因素分析晶体硅异质结太阳电池现状及性能影响因素分析 * 赵雷赵雷 , 陈静伟陈静伟, 刁宏伟刁宏伟, 王文静王文静 赵雷赵雷 陈静伟陈静伟 刁宏伟刁宏伟 王文静王文静 * 中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室, 中国科学院电工研究所, 北京 100190 Email: zhaolei@mail.iee.ac.cn 摘要：摘要：薄膜硅/ 晶体硅异质结太阳电池是一种在硅衬底上采用硅薄膜工艺制备而成的高效晶体硅电 摘要摘要：： 池。日本三洋基于此开发的 HIT 电池，转换效率已达到 23.7% 。本文从薄膜硅/ 晶体硅异质结太阳 电池的基本结构出发，具体分析影响太阳电池性能的诸多关键因素，包括异质结能带结构、界面态 密度、透明导电电极接触势、以及各种重要的光学损失等，探讨制备高效薄膜硅/ 晶体硅异质结太 阳电池需要分层次解决的若干难点问题。 关键词：关键词：薄膜硅/ 晶体硅异质结太阳电池, 关键因素, 难点问题 关键词关键词：： 1 引言引言 with Intrinsic Thin-layer ）太阳电池就是薄膜硅/ 晶体 引言引言 硅异质结太阳电池的典型代表，其结构如图 1 中所 薄膜硅/ 晶体硅异质结太阳电池是一种利用薄 示，硅衬底采用的是 n 型硅片，前表面发射极是 p 膜硅低温沉积工艺在硅衬底上制备而成的高效晶体 型非晶硅层，后表面背场是n 型非晶硅层，在掺杂 硅电池，其采用一种掺杂类型的晶体硅衬底与另一 非晶硅层与晶体硅衬底之间是本征非晶硅钝化层。 种掺杂类型的薄膜硅层结合构成异质pn 结。与传统 的扩散晶体硅太阳电池相比，薄膜硅/ 晶体硅异质结 太阳电池的发射极是低温沉积而成的薄膜硅层，光 吸收层仍然是晶体硅衬底。这层薄膜硅发射极的厚 度一般在 20 nm 以下，所以横向电阻大。为了减少 电流横向收集时的串联电阻，在发射极上需要进一 步制作透明导电电极，一般是透明导电氧化物 [1] 图 1 薄膜硅/ 晶体硅异质结太阳电池结构示意图 （TCO ），比如氧化铟锡等。这个透明导电电极层 同时还像常规晶体硅电池上的氮化硅层那样起到光 [2] 薄膜硅/ 晶体硅异质结太阳电池的好处在于 ： 学减反射的作用。之后在透明导电电极上再进一步 薄膜硅层的沉积一般在 200ºC 左右进行，与传统靠 制作金属栅线。为进一步提高太阳电池的性能，需 800ºC 以上的高温扩散制备pn 结的晶硅太阳电池相 要在电池背面制作薄膜硅/ 晶体硅异质结背场，这就 比，耗能少；薄膜硅/ 晶体硅异质结太阳电池还具有 是双面异质结太阳电池。一般的， 在掺杂薄膜硅/ 更小的温度系数，在高温条件下可以产生高的功率 晶体硅异质结界面上会存在较多界面态，为减少这 输出；最主要的，薄膜硅/ 晶体硅异质 pn 结与扩散 些界面态，在掺杂薄膜硅层与晶体硅之间可以插入 而成的同质 pn 结相比能使电