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CIGS、CdTe 和其它化合物薄膜太阳电池
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石墨背接触石墨背接触 CdS/CdTeCdS/CdTe 薄膜太阳电池的深能级瞬态谱薄膜太阳电池的深能级瞬态谱
石墨背接触石墨背接触 CdS/CdTeCdS/CdTe 薄膜太阳电池的深能级瞬态谱薄膜太阳电池的深能级瞬态谱
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江海波 江海波 黎兵黎兵 肖心举 肖心举 冯良桓冯良桓 郑家贵郑家贵
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张静全 张静全 李卫李卫 武莉莉武莉莉 曾广根曾广根
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(四川大学材料科学与工程学院,成都 610064)
摘要摘要:在 CdS/CdTe太阳电池的制备中,易引入并形成各种深能级杂质.本文用深能级瞬态谱技
摘要摘要
术研究了石墨背接触 CdS/CdTe薄膜太阳电池的杂质分布和部分深能级中心.从 IDLTS 得到了
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一个能级位置为 Ec-0.194eV 的深中心,其俘获截面为 1.37×10 cm ,浓度为1.57E16cm ,并
对该深中心的产生进行了探讨,与石墨背接触或硫化镉的扩散相关.
关键字关键字：CdS/CdTe太阳电池 深能级杂质 深能级瞬态谱
关键字关键字
1、1、引言引言:: transient spectroscopy, DLTS) 的应用最
11、、引言引言::
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CdS/CdTe 多晶薄膜太阳电池制作成本 广泛,它由 Lang 在结电容技术 基础上发
低、工艺简单、转换效率高, 是目前大规模 明.它测试速度快, 能量分辨率高, 可获信
地面应用中最有前景的薄膜太阳电池之一. 息多,应用范围广.国外研究机构对 CdTe 薄
它在国外已商业化生产, 大面积组件转换效 膜太阳电池的深能级中心作了一些基础研究,
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率约为 9% ;国内已由四川大学太阳能材料 集中在退火、制作背接触层的影响等方面;
与器件研究所建成了第一条中试生产线, 制 国内尚未见相关报道.本文用 C-V 法、深能
作的大面积( 300mm*400mm)电池组件效率超 级瞬态谱和恒
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