大面积表面等离子激元干涉光刻.pdfVIP

* 大面积表面等离子激元干涉光刻 1 2 郭小伟，张志友，杜惊雷，郭永康， 姚军 1四川大学物理科学与技术学院纳光子技术研究所，成都，610064 2英国达拉谟大学物理系，DL1 3DJ,UK 摘要：利用衰减全反射耦合模式激发表面等离子激元，提出一种大面积表面等离子干涉纳米 光刻方法。表面等离子激元干涉可引起了电场在一定深度上具有很强的透射增强，这一特性 对于近场非接触光刻很有利。通过时域有限差分法模拟显示，当用441nm的P偏振光照明三 棱镜，在其底部金属覆层激发表面等离子激元，并使其干涉，在光刻胶上可获得60nm 高对 比度干涉条纹。该方法可制作小于入射波长的七分之一纳米图形，其光刻成本低、面积大， 有着很大的应用潜力。 关键词：光刻，表面等离子体激元，干涉，纳米图形 该文的英文稿已于 2006 年 9 月在 OPTICS LETTERS 的 31 卷 17 期上正式发表，本文由 张志友执笔 Large-area surface-plasmon polariton interference lithography Xiaowei Guo, Zhiyou Zhang ,Jinglei Du, Yongkang Guo Department of Physics, Sichuan University, Chengdu 610064, China Jun Yao Department of Physics, Durham University, Durham DL1 3DJ, UK Abstract:Large-area surface-plasmon polariton (SPP) interference lithography is presented that uses an attenuated total reflection-coupling mode to excite the interference of the SPPs. The interference of the SPPs causes a highly directional intensity range in a finite depth of the electric field, which is good for noncontact. Finitedifference time-domain simulations of the interference on a thin resist layer show that broad-beam illumination with a p -polarized light at a wavelength of 441 nm can produce features as small as 60 nm with high contrast, smaller than λ/7. Our results illustrate the potential for patterning periodic structures over large areas at low cost. Key words: Lithography,Surface-plasmon polariton (SPP) ，Interference ，Nano-pattern 1、引言： 大规模集成电路的发展不断压缩光刻线条的特征尺寸，并要求发展纳米尺度的光刻新技 术。可加工纳米线条的193浸润式扫描投影光刻系统和正在发展中的EUV光刻系统的结构越来 越复杂，