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单晶硅电池片工艺（初稿） 工艺流程图： 硅片检验→硅片插入片盒→去除损伤层→制绒面→淋洗→中和→三级串连阶梯式清洗→烘干→扩散→周边刻蚀→硅片插入片盒→去除氧化层→三级串连阶梯式清洗→烘干→制备氮化硅→背面银铝浆→烘干→背面铝浆→烘干→正面银浆→烧结→测试分选→检验入库 1． 单晶硅片质量检验标准 1．1 外观检验 1．1．1 基片大小：125×125mm±0.5mm 1．1．2 形状：准方片 1．1．3 直径：∮150±1.0mm Φ165±1.0mm 1．1．4 厚度： 280±30μm;在所规定区域内5个测量值的平均值。 1．1．5 TTV（μm）total thickness variation 在选定圆片区域内，最大厚度变化值 ≤50μm 1．1．6 表面缺陷：≤2个 深度不大于0.05mm 1．1．7 破损及针孔：无可见破损和针孔 1．1．8 边缘缺损：长度小于5mm，深度0.5的破损≤1个 1．1．9 钜痕：＜5μm 1．1．10 表面状况：表面颜色均匀一致，无残留硅粉，无水迹 1．2 电特性： 1．2．1 晶体：无位错直拉（CZ）单晶 1．2．2 晶向：（100）±3° 1．2．3 导电类型：P型（硼掺杂） 1．2．4 电阻率（Ω·CM） 0.5～2.0 用四探针测量平均晶体电阻 1．2．5 少子寿命：＞15μS 使用微波光电导方法，在未钝化区域内，扫描2×2mm区域，去2000次测量平均值，硅锭边缘部分红区内数据不包括在平均值的计算内。 1．2．6 碳浓度：≤5×10 1．2．7 氧浓度：≤1×10 1．3 质量判断标准：AQL2.5 2．硅片插入片盒： 2．1 工具仪器：25片 片盒 工作桌，凳子，真空吸附镊子 2．2 原材料：125×125mm硅片 2．3 工艺过程：把一定高度的硅片放于工作桌上，在操作者面前，用真空镊子把硅片吸起，把硅片放于片盒的最下一层，释放真空，硅片脱离真空吸附落于硅片盒的槽中。重复上述动作，直至把任务完成。 2．4 注意事项： 2．4．1 人是最大的污染源，不要面对硅片说话，不要用手直接拿片盒，手上有钠离子、油类污染； 2．4．2 操作人员要戴口罩、手套操作； 2．4．3 硅片易碎，在操作过程中，工作人员要轻拿轻放，尽量减少碎片； 2．4．4 真空吸头经常用酒精擦拭，在工作过程中，保持清洁。 3．硅片清洗： 3．1 去除损伤层： 3．1．1 目的：在硅片切割过程中，引起晶体表面晶格损伤，为把PN结制作在良好的晶体上，去除硅片表面的损伤层。 3．1．2 溶液浓度的配比： NaOH：H2O=8500：34000（重量比） 在实际工作中，34000克纯水，添加10000克的氢氧化钠 3．1．3 溶液的配制过程： 根据资料查明：NaOH的融解热，10.4千卡/摩尔 8500÷40×10400＝2210000卡 2210000÷34000＝65（度） 结论：8500克氢氧化钠，可以使34000克纯水温升65度，理论计算要与实践相结合，只要把纯水从室温升高至25℃左右凭借着氢氧化钠的温升就可以达到85℃了。 3．1．4 试剂纯度：纯水，18MΩ/CM 氢氧化钠，电子纯 3．1．5 溶液温度：85±1℃ 3．1．6 腐蚀速率：条件：20％ NaOH溶液，85℃，经验数据表明 4μm/min（两边共同去除）；内圆切割锯20μm/每边，线锯10μm/每边，通常内圆切割锯腐蚀时间10分钟，线锯腐蚀时间5～6.5分钟（根据实际情况摸索准确时间，经验数据，每隔几十片称量一次） 3．1．7 反应机理： Si＋2NaOH＋H2O=Na2SiO3＋2 H2↑ 28 80 18 122 4 在硅片表面每边去除10μm，两边共去除20μm A．每片去除的重量：△g=12.5×12.5×0.0020×2.33=0.728g B．每片消耗的NaOH 28：80＝0.728：X X=2.08g C．每片产生多少Na2SiO3 28：122＝0.728：X X=3.172g D．如果每配制一次NaOH溶液可以清洗3000片，每片消耗2.08克NaOH，则消耗6.240Kg, 10 Kg的NaOH，只剩下3.76 Kg 在达到2500片时要密切注视，每花篮硅片称量是否达到了设计要求。 E．如果去除损伤层3000片则生成9.516Kg的Na2SiO3 ，整个花篮上浮，使花篮定位不准确严重影响机械手的正常运转。 3．1．8 注意事项与问题的讨论： A．