LiF对聚合物发光二极管发光性能提高.pdfVIP

维普资讯 第 27卷 ，第7期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 Vo1．27，No．7，pp1276—1278 2007年 7月 SpectroscopyandSpectralAnalysis July，2007 电极修饰层 PEO／LiF对聚合物发光二极管发光性能的提高 孙 鑫，侯延冰 ，刘 军，师全民，李 妍，靳 辉，鲁 晶 发光与光信息教育部重点实验室，北京交通大学光电子技术研究所，北京 100044 摘 要 在以聚合物发光材料 poly(2一methoxy-5一(2-ethylhexyloxy)一1，4-phenylenevinylene)(MEH—PPV)为 发光层的聚合物发光二极管(PLEDs)的金属阴极与聚合物发光层之间插入一层绝缘的聚合物 poly(ethylene oxide)(PEO)，发光器件的发光性能有所提高，尤其是 PE0／LiF共 同对 电极修饰时发光器件的开启电 压、发光强度、电流效率等性能显著提高。初步分析表明修饰层的插入造成了发光聚合物层与金属电极界面 形成势垒，通过空穴堆积抑制空穴的注入 ，增加电子的注入 ，并且PEO层可以有效抑制激子在阴极的猝灭。 关键词 聚合物发光二极管；电极修饰；MEH-PPV 中图分类号：O484 文献标识码：A 文章编号：1000—0593{2007}07—1276—03 通道。本文在电极与发光层之间引入超薄聚氧化乙烯 (PE0) 引 言 作为缓冲层，不仅能提高电子的注入，并且有效的降低空穴 在阴极的猝灭 ，尤其是在发光层与电极之间同时引入 PEO 聚合物发光二极管(PLⅡ)S)由于它在全色显示方面的应 和LiF，器件的亮度与效率得到很大提高。 用潜力，近些年吸引了众多科学工作者的注意力，越来越多 的经费和研究工作者投入到了这一领域的科学研究中Ⅱ]。 1 实 验 聚合物发光器件的性能受空穴和电子在发光层中的平衡注入 影响很大，从阳极注入的空穴的数量要大于从阴极注入的电 实验中首先对表面电阻为 30／口的 ITO(indium tinOX- 子的数量L5]。普遍认为在有机层和金属阴极之间的注入势垒 ide)玻璃基底进行湿法净化L1，在 ITO上旋涂 60啪 厚的 越低越有利于电子的注入，最 自然的方法就是用低功函数的 PEDOT，PSS(poly3，4-ethylenedioxythiophene：polystyrene— 金属如M_g，Li和Ca等作为阴极 。然而这些金属通常比 sulfonate)薄膜作为空穴传输层 ，然后在以8O℃的温度热处 较活泼，这又使它们不利于作为广泛应用的阴极材料。另 理 5rain，150℃的温度热处理 10rain，之后在 PED0T：PSS 外，常用的方法是在比较稳定金属电极与有机层之间插入一 层上均匀旋涂80啪 的发光聚合物MEH-PPV(甲苯溶液)薄 层超薄的绝缘层来提高器件的性能和稳定性。金属氟化物如 膜层 ，接着在 MEH-PPV薄膜层上均匀旋涂大约 3nn3的超 LiF和CsF等被作为这种超薄层应用到 PLEDs器件中，其 薄层PEO(0．01Wt 的乙腈溶液)。LiF及 电极在 3× 中LiF被研究的最多应用最广泛f6]。超薄的LiF被用在金属 1O-。Pa的真空度下通过热蒸镀到器件上 ，膜厚 由石英振荡 与有机层之间，它们之间的相互作用使得部分LiF被分离 膜厚监视器控制，LiF和 电极 的膜厚分别为 0．5和 120 成 Li原子和F原子。由于金属锂的功函数较低，